[发明专利]大面积电子设备的图案化化学电镀金属化制程

权利要求书

1.一种形成导电特征于基材表面上的方法，其至少包含：

沉积含有金属氧化物前驱物的耦合剂于基材的表面上；以及

暴露该耦合剂与该基材的表面于含四氧化钌的气体，以形成含钌层于该基材的表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其更包含利用无电沉积制程沉积导电层于该含钌层上。

3.如权利要求1所述的方法，其中该耦合剂为氧化性催化前驱物，其包含选自钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、金与银所组成的群组的金属。

4.如权利要求2所述的方法，其中该导电层是由导电物质所形成，该导电物质是选自铜、钴、镍、钌、钯、铂、银与金所组成的群组。

5.如权利要求1所述的方法，其中该基材的表面是由一物质所形成，该物质是选自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化物、掺碳氧化硅、非晶硅、掺杂非晶硅、氧化锌、氧化铟锡、过渡金属与聚合性物质所组成的群组。

6.如权利要求1所述的方法，其中上述沉积该耦合剂的步骤至少包含：

沉积该耦合剂至该基材的表面上的所欲区域；以及

于真空环境内，加热该基材至低于约100℃的温度。

7.一种形成导电特征于基材表面上的方法，其至少包含：

沉积含有机物质于基材的表面上；

暴露该有机物质与该基材的表面于含四氧化钌的气体，其中该四氧化钌可氧化该有机物质以选择性沉积含钌层于该基材的表面上；以及

利用无电沉积制程沉积导电层于该含钌层上。

8.如权利要求7所述的方法，其中该含有机物质为有机硅烷物质。

9.如权利要求7所述的方法，其中该导电层是由导电物质所形成，该导电物质是选自铜、钴、镍、钌、钯、铂、银与金所组成的群组。

10.如权利要求7所述的方法，其中该基材的表面是由一物质所形成，该物质是选自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化物、掺碳氧化硅、非晶硅、掺杂非晶硅、氧化锌、氧化铟锡、过渡金属与聚合性物质所组成的群组。

11.一种形成导电特征于基材表面上的方法，其至少包含：

沉积包含金属氧化物前驱物的液态耦合剂于基材的表面上；

利用还原剂还原该金属氧化物前驱物；以及

利用无电沉积制程沉积导电层于该含钌层上。

12.如权利要求11所述的方法，其中该液态耦合剂包含选自钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、金与银所组成的群组的高氧化态金属。

13.如权利要求11所述的方法，其中该导电层是由导电物质所形成，该导电物质是选自铜、钴、镍、钌、钯、铂、银、与金所组成的群组。

14.如权利要求1所述的方法，其中该基材的表面是由一物质所形成，该物质是选自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化物、掺碳氧化硅、非晶硅、掺杂非晶硅、氧化锌、氧化铟锡、过渡金属与聚合性物质所组成的群组。

15.如权利要求11所述的方法，其中上述沉积该耦合剂的步骤至少包含：

沉积该耦合剂至该基材的表面上的所欲区域；以及

于真空环境内，加热该基材至低于约100℃的温度。

16.一种选择性形成层于基材表面上的方法，其至少包含：

选择性应用液态耦合剂至基材表面上的所欲区域；以及

利用含四氧化钌气体于该所欲区域内形成含钌层。

17.如权利要求16所述的方法，其中该液态耦合剂包含金属烷氧化物(metal alkoxide)。

18.如权利要求16所述的方法，其中该金属烷氧化物的金属是选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼、钨、硅、锗、锡、铅、铝、镓与铟所组成的群组。

19.如权利要求16所述的方法，其中上述选择性应用该液态耦合剂至少包含：

沉积该液态耦合剂至基材的表面的所欲区域；以及

于真空环境内，加热该基材至低于约100℃的温度。