[发明专利]封装有锚定盖的微机电装置以及该装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路，具体涉及一种设置有元件的集成电路，所述元件具有能相对于其他元件运动的部分。所述元件可以是微机械系统，例如是包括压电层的谐振器。

背景技术

从Bryzek、Flannery和Skurnik发表在IEEE Instrumentation andMeasurement Magazine June 2004，Volume 7，n°2，第51-59页中的文章“Integrating Micromechanical Systems with Integrated Circuits”可以知道，上述这些元件放置在最高的金属互连层上方。所以希望通过封装来保护这些元件。

文献FR A 2 851 373涉及一种制造集成电路的工艺，所述集成电路在互连元件之间结合有气隙，从而减小了静电和/或电磁耦合效应。气隙被用作电介质。

发明内容

本发明的目的是提出一种封装集成电路内的元件的方案。

本发明的另一个目的是获得一种以低成本制造的紧凑型集成电路，同时具有较高的可靠性。

在一个示例性实施例中，集成电路包括：基底，在所述基底上方的有源元件，部分地围绕所述有源元件的空腔，部分地围绕所述空腔的低介电区，以及围绕所述低介电区布置的保护屏障。

通过这样的实施例，能够防止所述低介电区和低介电区的支撑物之间的界面分离，特别是在形成所述空腔的时候。

所述低介电区包括有机聚合物，例如SiLK。所述有机聚合物可以是多孔的。

在一个实施例中，所述保护屏障是导电的。所述保护屏障还可以用作电导体，例如是连接不同层的两个导体的过孔。

所述保护屏障可以包括金属，例如铜和/或钨。

在另一个实施例中，所述保护屏障是介电的。所述保护屏障可以包含SiC或SiCX，其中X是其它元素，例如O或N。

在一个实施例中，所述保护屏障至少包括容纳气体的内空腔。所述内空腔可以填充以空气。所述内空腔可以在SiC区中形成。

在一个实施例中，所述保护屏障包括多个过孔。

在一个实施例中，所述保护屏障至少包括线。

在一个实施例中，所述保护屏障包括包含第一材料的内部和包含第二材料的外部。所述内部可以包括金属，例如铜或钨。所述外部可以包括阻止层，例如SiC、TaN、Ta、TiN或Ti。所述外部可以防止所述内部的材料在所述低介电区或支撑物中扩散。

在另一个实施例中，所述保护屏障包括单一材料。所述保护屏障可以包括SiC或铜。

在一个优选实施例中，所述保护屏障包括上部分和基础部分，所述上部分大于所述基础部分。所述基础部分可以处于所述低介电区的层。所述上部分可以在所述基础部分和靠近所述基础部分的低介电区的区域上形成。所述保护屏障可以形成将所述低介电区固定在其支撑物上的堵塞，所述支撑物例如是基底或互连层。

在一个实施例中，所述保护屏障的至少一部分与所述基底或所述互连层的导电部分有电接触。

在一个实施例中，所述保护屏障是抗HF的。所述空腔可以通过使用HF形成，HF用于去除包含HF可去除材料的区域，所述HF可去除材料例如是被所述保护屏障围绕的硅玻璃(未掺杂的或氟化的)。

在一个实施例中，所述有源元件位于所述基底上。所述有源元件可以布置在所述基底和所述互连层之间。所述有源元件可以布置于与晶体管的基极或或栅极相同的层上。

在一个实施例中，所述电路至少包括受所述基底支撑的互连层，所述有源元件受所述互连层支撑。

在一个实施例中，所述有源元件包括微机械系统，例如是包括压电元件的滤波器。

另一方面，逻辑装置可以包括有源元件，用于支撑所述有源元件的支撑物，围绕所述有源元件的低介电区，以及至少一个将介电区固定到所述支撑物的铆钉，所述介电区与所述有源元件分离开。

一种制造集成电路的方法，可以包括：

-在基底上方形成有源元件，

-在所述基底上方形成低介电区，

-围绕所述低介电区形成保护屏障，

-形成部分地围绕所述有源元件的空腔，

所述低介电区部分地围绕所述空腔。

所述阻挡层能够保持所述低介电区。所述阻挡层还能够避免在所述阻挡层外侧形成空腔的步骤所带来的不良影响。

在一个实施例中，可去除区围绕所述有源元件形成，所述低介电区围绕所述可去除区形成。所述低介电区可以在所述可去除区上形成。