[发明专利]封装有锚定盖的微机电装置以及该装置的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路(1)，所述集成电路(1)包括基底(2)和在所述基底(2)上方的有源元件(13)，其特征在于，所述集成电路(1)包括部分地围绕所述有源元件(13)的空腔(14)，部分地围绕所述空腔(14)的低介电区(15)和围绕所述低介电区(15)布置的保护屏障(16)。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述低介电区(17)包含有机聚合物。

3.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)是导电的。

4.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)包含金属。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)是介电的。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)至少包括容纳有气体的内空腔(28)。

7.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)包括多个过孔。

8.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)至少包括线。

9.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)包括包含第一材料的内部和包含第二材料的外部(26)。

10.根据权利要求1～8中的任一项所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)包含单一材料。

11.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)包括上部分(19)和基础部分(18)，所述上部分(19)大于所述基础部分(18)。

12.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)的至少一部分与所述基底(2)或互连层(4)的导电部分具有电接触。

13.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述保护屏障(16)是抗HF的。

14.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述有源元件(13)位于所述基底(2)上。

15.根据权利要求1～19中的任一项所述的集成电路，所述集成电路至少包括受所述基底(2)支撑的互连层(4)，所述有源元件(13)受到所述互连层(4)的支撑。

16.根据前述任一项权利要求所述的集成电路，其中所述有源元件(13)包括微机械系统。

17.一种制造集成电路的方法，所述方法包括步骤：

-在基底上方形成有源元件，

-在所述基底上方形成低介电区，

-围绕所述低介电区形成保护屏障，

-形成部分地围绕所述有源元件的空腔，

所述低介电区部分地围绕所述空腔。

18.根据权利要求17所述的方法，其中围绕所述有源元件形成可去除区，并且围绕所述可去除区形成所述低介电区。

19.根据权利要求17或18所述的方法，其中形成所述保护屏障包括在所述低介电区中至少形成沟槽。

20.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述保护屏障包括在所述沟槽中沉积薄介电层，并且用金属填充其余所述沟槽。

21.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述保护屏障包括用介电材料至少部分地填充所述沟槽。

22.根据权利要求17～21中任一项所述的方法，其中形成所述保护屏障包括形成大于基部的上部，所述上部处于所述低介电区上方，所述基部处于所述低介电区的层。

23.根据权利要求17～22中任一项所述的方法，其中所述保护屏障通过双重镶嵌工艺形成。

24.根据权利要求17～23中任一项所述的方法，其中所述保护屏障包含不受形成空腔的步骤影响的材料。