[发明专利]用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的方法和设备以及实现其的存储单元阵列

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

存储单元阵列，其具有多个存储单元，其中，每个存储单元包括电浮动体晶体管，其中，所述电浮动体晶体管包括：

源极区域；

漏极区域；

体区域，布置在所述源极区域和所述漏极区域之间，其中，所述体区域是电浮动的；以及

栅极，布置在所述体区域上方；

其中，每个存储单元包括：(i)第一数据状态，其表示所述电浮动体晶体管的所述体区域中的第一电荷，以及(ii)第二数据状态，其表示所述电浮动体晶体管的所述体区域中的第二电荷；

电路，其耦合到所述存储单元阵列，用于对存储单元中的一个或多个编程，其中，所述电路包括：

控制信号产生电路，其耦合到存储单元，用于产生具有时间特性的第一预定编程操作和第二预定编程操作的控制信号；以及

可编程持续时间电路，其耦合到所述控制信号产生电路，用于控制所述第一预定编程操作和所述第二预定编程操作的一个或多个控制信号的时间特性；

其中，所述第一预定编程操作的一个或多个控制信号的时间特性与所述第二预定编程操作的相应的控制信号的时间特性不同。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路包括多个电路，所述多个电路包括：

第一电路，用于控制写入操作的一个或多个控制信号的时间特性；以及

第二电路，用于控制刷新操作的一个或多个控制信号的时间特性。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路包括多个电路，所述多个电路包括：

第一电路，用于控制写入操作的一个或多个控制信号的时间特性；以及

第二电路，用于控制恢复操作的一个或多个控制信号的时间特性。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路包括多个电路，所述多个电路包括：

第一电路，用于控制写入操作的一个或多个控制信号的时间特性；

第二电路，用于控制刷新操作的一个或多个控制信号的时间特性；以及

第三电路，用于控制恢复操作的一个或多个控制信号的时间特性。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路包括多个RC延迟电路。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一预定编程操作的一个或多个控制信号包括施加到电浮动体晶体管的栅极、源极区域和漏极区域中的两个或多个上的信号。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路包括：

第一寄存器，用于存储表示写入操作的一个或多个控制信号的时间特性的第一值；以及

第二寄存器，用于存储表示刷新操作的一个或多个控制信号的时间特性的第二值。

8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路还包括：

多路复用器，其耦合到所述第一和第二寄存器，用于作为响应输出所述第一或者第二值之一；以及

可编程定时器，其耦合到所述多路复用器，用于分别使用所述第一值或者第二值来产生表示所述写入操作或者所述刷新操作的一个或多个控制信号的时间特性的信号。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路包括：

第一寄存器，用于存储表示写入操作的一个或多个控制信号的时间特性的第一值；

第二寄存器，用于存储表示刷新操作的一个或多个控制信号的时间特性的第二值；以及

第三寄存器，用于存储表示恢复操作的一个或多个控制信号的时间特性的第三值。

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述可编程持续时间电路还包括：

多路复用器，其耦合到所述第一、第二和第三寄存器，用于作为响应输出所述第一、第二或者第三值之一；以及

可编程定时器，其耦合到所述多路复用器，用于分别使用所述第一值、第二值或者第三值来产生表示所述写入操作、所述刷新操作或者所述恢复操作的一个或多个控制信号的时间特性的信号。

11.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述电浮动体晶体管被布置在体型半导体衬底上/中或者SOI型衬底上/中。