[发明专利]射线转换器及其制造方法

权利要求书

1.一种射线转换器，在所述射线转换器中，在衬底上设置有一种由复数个针状晶体构成的发光体层，其中，所述晶体包括掺杂有Tl的CsJ，

其特征在于，

Tl含量的范围为200ppm至2000ppm。

2.根据权利要求1所述的射线转换器，其中，所述CsJ含有用作共掺杂剂的一种碱金属。

3.根据前述权利要求中任一项所述的射线转换器，其中，所述碱金属选自下列组：K、Na、Rb。

4.根据前述权利要求中任一项所述的射线转换器，其中，所述碱金属的含量为0.1wt％至10.0wt％。

5.根据前述权利要求中任一项所述的射线转换器，其中，所述针状晶体中沿基本垂直于衬底表面的晶体z轴的Tl浓度与Tl的平均浓度之间相差不超过50％。

6.根据前述权利要求中任一项所述的射线转换器，其中，所述发光体层的发射峰位处于500nm至520nm的范围内。

7.一种制造如前述权利要求中任一项所述的射线转换器的方法，其中，通过将CsJ和TlJ从气态沉积到衬底上而制成所述发光体层，

其特征在于，

TlJ的量被确定为使得所沉积的发光体层中的铊含量的范围为200ppm至2000ppm。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，进一步将一种气化的用作共掺杂剂的碱性卤化物沉积到所述衬底上。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述碱性卤化物选自下列组：卤化钾、卤化钠、卤化铷。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，将一种碱性碘化物用作碱性卤化物。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法，其中，碱性卤化物的量被确定为使得所沉积的发光体层中的碱金属含量的范围为0.1wt％至10.0wt％。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，其中，所述CsJ、TlJ和可能存在的共掺杂剂同时被气化，并从气态沉积到所述衬底上。