[发明专利]利用多次曝光印刷光刻图像的方法和系统

权利要求书

1.一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法，该方法包括：

识别一个或多个关键特征，所述一个或多个关键特征对应于所述IC产品上的由于间距尺寸问题而无法在所述光刻制造设备的单次曝光中被印刷的一个或多个特征；

识别一个或多个非关键特征，所述一个或多个非关键特征对应于所述IC产品上的可以在所述光刻制造设备的单次曝光中被印刷的一个或多个特征；

如果需要则分割所述一个或多个非关键特征中的任何一个；以及

产生用于使用第一次曝光来制造所述一个或多个关键特征中的第一组以及使用第二次曝光来制造所述一个或多个关键特征中的第二组的数据。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述产生数据的操作包括产生掩膜分配信息，其中所述第一组对应于第一掩膜而所述第二组对应于第二掩膜。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述识别一个或多个关键特征的操作包括识别最小宽度(MIN_CRIT_WIDTH)大于或等于可印刷的尺寸且最大宽度(MAX_CRIT_WIDTH)小于可使用单次曝光印刷的尺寸的形状。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述分割非关键特征的操作识别邻接或相邻于关键特征的非关键特征。

5.如权利要求4所述的方法，其中，逻辑切割线与根据邻接或相邻于所述非关键特征的关键特征的数量和设置而被分割的所述非关键特征相关联。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在两个形状之间设置间隙；以及

在所述间隙中产生多边形。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个非关键特征与所述第一组或所述第二组相关联。

8.如权利要求7所述的方法，其中，非关键特征与非关键特征之间的距离确定哪一组与所述非关键特征相关联。

9.如权利要求1所述的方法，其中，在非关键特征与关键特征之间产生较大的空间，以处理被过分限制的布图。

10.如权利要求1所述的方法，还包括校错。

11.如权利要求1所述的方法，其中，修改所述一个或多个关键或非关键特征，以处理所述光刻制造设备的光刻效应的预期物理特性。

12.如权利要求11所述的方法，其中，对于所述第一次曝光的印刷的一部分与对于所述第二次曝光的印刷的一部分重叠。

13.一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法，该IC产品具有比可在单次曝光中印刷的间距还小的间距。

14.如权利要求13所述的方法，还包括将布图分成两次或多次曝光，每次曝光具有任意细的线但大于必要的间距。

15.如权利要求13所述的方法，还包括：

从一个或多个第二特征中识别所述IC产品上的应该经受单独曝光的一个或多个第一特征；

使用第一次曝光印刷所述一个或多个第一特征；以及

使用第二次曝光印刷所述一个或多个第二特征。

16.如权利要求15所述的方法，其中，产生对应于所述一个或多个第一特征的用于第一掩膜的第一数据，并且产生对应于所述一个或多个第二特征的第二数据。

17.如权利要求15所述的方法，其中，分割特征以将该特征的一部分设置在所述第一次曝光上而将该特征的另一部分设置到所述第二次曝光。

18.如权利要求13所述的方法，其中，通过电子设计自动工具来自动实施该方法。

19.一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法，该方法包括：

识别一个或多个特征，所述一个或多个特征对应于通过所述光刻制造设备的多次曝光而被制造的几何形状；以及

产生用于使用所述多次曝光来制造所述一个或多个特征的数据。

20.如权利要求19所述的方法，其中，所述产生数据的操作包括产生掩膜分配信息。