[发明专利]基板及半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板及半导体发光元件。具体而言，本发明涉及一种高亮度的3-5族氮化物半导体发光元件以及适于其制造的基板。

背景技术

3-5族氮化物半导体发光元件可以用于液晶画面用光源、大画面显示器等显示装置用光源、白色用照明装置用光源、DVD等的信号输入·信号读取用光源等。半导体发光元件例如依次包括基板、n型半导体层、发光层、p型半导体，发光层由式In_xGa_yAl_zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的化合物构成，分别在n型半导体层上形成n型电极，在p型半导体层上形成p型电极。这样的半导体发光元件已被研究作为紫外、蓝色或绿色发光二极管；紫外、蓝色或绿色激光二极管而向光源的应用。

近年来，从提高显示装置·照明装置的性能的观点出发，需要高亮度的半导体发光元件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种适于制造高亮度的半导体发光元件的基板，另外，本发明的另一个目的在于提供一种半导体发光元件。

本发明人等为了解决所述课题而进行了研究，结果以至完成本发明。

即，本发明提供一种形成有具有曲面的凸部的基板。

本发明还提供一种基板的制造方法，其包括工序(1)及(2)。

(1)在基板上配置无机粒子的工序，

(2)干法蚀刻基板及无机粒子而形成凸部的工序。

另外，本发明还提供一种包含形成有具有曲面的凸部的基板、和基板上的半导体层的半导体发光元件。

此外，本发明还提供一种半导体发光元件的制造方法，其包括工序(1)～(3)。

(1)在基板上配置无机粒子的工序，

(2)干法蚀刻基板及无机粒子而形成凸部的工序，

(3)在基板上形成半导体层的工序。

附图说明

图1表示基板的制造工序(a)～(c)。

图2表示基板的凸部的实施方式。

图3表示基板的凸部的另一个实施方式。

图4表示半导体发光元件的层结构。

图5表示在实施例3中得到的基板的电子显微镜照片。

图6表示在实施例4中得到的基板的电子显微镜照片。

图中，1-基板，1A、1C-基板面，1B-凸部，2-无机粒子，3-n型3-5族氮化物半导体，4-发光层，5-p型3-5族氮化物半导体，6-n型电极，7-p型透明电极，8-p型电极，10-3-5族氮化物半导体发光元件。

具体实施方式

[基板]

本发明的基板具有凸部。

基板例如由蓝宝石、SiC、Si、MgAl₂O₄、LiTaO₃、ZrB₂、CrB₂构成。

凸部在表面至少具有曲面，通常在基板上形成岛状，由与基板相同的材料构成。凸部例如为形状具有曲面的圆锥、圆锥台、棱锥或棱锥台，其形状也可以为半球状。

另外，凸部的高度通常约为10nm以上，优选为30nm以上，通常为5μm以下，优选为3μm以下。凸部的高度为，所述基板能够使3-5族氮化物化合物半导体层容易地生长而且可以得到高亮度的化合物半导体发光元件。

进而，凸部的锥角度通常为5°以上，优选为10°以上，通常为90°以下，优选为80°以下。

[基板的制造方法]

本发明的基板的制造方法包括所述的工序(1)。

工序(1)中使用的基板例如由蓝宝石、SiC、Si、MgAl₂O₄、LiTaO₃、ZrB₂或CrB₂构成。