[发明专利]基板及半导体发光元件有效
| 申请号： | 200680024736.6 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101218688A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 西川直宏;上田和正;笠原健司;土田良彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种基板，其中，
所述基板形成具有曲面的凸部而成。
2.根据权利要求1所述的基板，其中，
凸部和基板由相同的材料构成。
3.根据权利要求1所述的基板，其中，
基板由蓝宝石、蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2或Crg2构成。
4.一种基板的制造方法，其中，
包括工序(1)及(2)，即，
(1)在基板上配置无机粒子的工序，
(2)干法蚀刻基板及无机粒子而形成凸部的工序。
5.根据权利要求4所述的基板，其中，
基板由蓝宝石、蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2或CrB2构成。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，
无机粒子由氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物及金属所构成的组中选择的至少一种构成。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，
无机粒子为氧化物。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
氧化物为二氧化硅。
9.根据权利要求4所述的方法，其中，
无机粒子的形状为球、多角锥、长方体或针状。
10.一种半导体发光元件，其中，包括：
形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。
11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其中，
基板由蓝宝石、蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2或CrB2构成。
12.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其中，
半导体层由3-5族氮化物半导体化合物构成。
13.一种半导体发光元件的制造方法，其中，
包括工序(1)～(3)，即，
(1)在基板上配置无机粒子的工序，
(2)干法蚀刻基板及无机粒子而形成凸部的工序，
(3)在基板上形成半导体层的工序。
14.根据权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法，其中，
在工序(2)与工序(3)之间，包括工序(4)，即，
(4)从基板除去无机粒子的工序。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
基板由蓝宝石、蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2或CrB2构成。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，
无机粒子由氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物及金属所构成的组中选择的至少一种构成。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，
半导体层由3-5族氮化物半导体化合物构成。
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