[发明专利]短沟道半导体器件加工

权利要求书

1.一种形成多栅晶体管器件的方法，包括：

执行第一注入工艺以便在半导体衬底内获得第一掺杂浓度；

执行第二注入工艺以便在所述晶体管的沟道区建于其中的所述半导体衬底的区域内获得第二掺杂浓度；

在所述晶体管的所述沟道区建于其中的所述半导体衬底的所述区域上形成多栅电介质；

在所述电介质上形成多栅电极；以及

执行第三注入工艺以建立邻近所述沟道区的第一侧面的第一延伸区和邻近所述沟道区的第二侧面的第二延伸区，所述第一和第二延伸区具有第三掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

执行第四注入工艺以建立邻近所述第一延伸区的源区和邻近所述第二延伸区的漏区，所述源区和漏区具有第四掺杂浓度，其中所述第四掺杂浓度大于所述第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度，而所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二注入工艺仅对所述区域的一部分进行掺杂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三注入工艺仅对所述第一延伸区和第二延伸区中的一个或两个的一部分进行掺杂；并且该方法进一步包括：

执行第四注入工艺，以建立邻近所述第一延伸区的源区和邻近所述第二延伸区的漏区，所述源区和漏区具有第四掺杂浓度，其中所述第四掺杂浓度大于所述第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度，而所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二注入工艺仅对所述区域的一部分进行掺杂；并且该方法进一步包括：

形成邻近所述第一延伸区的金属源区和邻近所述第二延伸区的金属漏区，其中所述第三掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度，而所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三注入工艺仅对所述第一延伸区和第二延伸区中的一个或两个的一部分进行掺杂；并且该方法进一步包括：

形成邻近所述第一延伸区的金属源区和邻近所述第二延伸区的金属漏区，其中所述第三掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度，而所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二注入工艺仅对所述区域的一部分进行掺杂；并且该方法进一步包括：

形成邻近所述沟道区的第一侧面的金属源区和邻近所述沟道区的第二侧面的金属漏区，其中所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的方法，其中所述部分对应于所述区域的顶部区和侧壁区中的至少一些，以致所述区域的底部中心区的至少一些保持在所述第一掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中上述注入工艺中的至少一种工艺实施倾斜的注入工艺。

10.根据权利要求2-7中任一项所述的方法，其中所述部分对应于所述区域的约上半部的至少一些，以致所述区域的约下半部的至少一些保持在所述第一掺杂浓度。