[发明专利]半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：

提供半导体晶片叠层，其包括在基板的第一表面中形成的多个金属焊盘、在所述基板的相对的第二表面上形成的粘附/镀层以及在所述粘附/镀层的表面上上形成的金层；

在所述半导体晶片叠层的划片道区域中蚀刻所述金层，其中蚀刻暴露出所述金层、所述粘附/镀层以及所述基板的多个边缘部分；

在所述粘附/镀层及所述金层的所述暴露的边缘部分的周围形成边缘密封；

在所述划片道区域中切割所述半导体叠层以限定半导体管芯；以及

将所述管芯粘接至支撑结构。

2.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其中，所述形成边缘密封的步骤包括：在所述相对的第二表面上沉积阻挡金属层。

3.如权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其中，所述沉积阻挡金属层的步骤包括：溅射由钛、镍-钒和金的层所组成的阻挡金属层，并且其中，在所述阻挡金属层中的金的比例小于在所述粘附/镀层的表面上形成的金层。

4.如权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其中，所述阻挡金属层具有在1.0至1.7微米的范围内的厚度。

5.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其中，所述支撑结构为引线框架。

6.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其中，所述提供金层的步骤包括通过在所述粘附/镀层上溅射金层的沉积步骤。

7.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其中，所述蚀刻步骤包括使用湿式化学法进行蚀刻。

8.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其中，所述边缘密封防止在将所述管芯粘接到支撑结构期间所使用的焊接材料中形成空洞。

9.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：

提供半导体叠层，其具有在基板的第一表面中形成的多个金属焊盘以及与所述多个金属焊盘对准形成的多个热通孔；

在所述基板的相对的第二表面上沉积粘附/镀层并且延伸到热通孔中；

在所述粘附/镀层上沉积金层并且延伸到热通孔中；

在所述半导体叠层的划片道区域中蚀刻所述金层以暴露所述金层、所述粘附/镀层以及所述基板的边缘；

采用阻挡金属层在所述金层和所述粘附/镀层的暴露的边缘部分周围形成边缘密封；

在所述划片道区域中切割所述半导体叠层；以及

将所述半导体叠层焊接至支撑结构以形成半导体封装。

10.如权利要求9所述的制造半导体封装的方法，其中，所述蚀刻步骤包括采用湿式化学法进行蚀刻。

11.如权利要求9所述的制造半导体封装的方法，其中，所述形成边缘密封的步骤包括通过溅射来沉积阻挡金属层，所述阻挡金属层具有在1.0至1.7微米范围内的厚度。

12.如权利要求9所述的制造半导体封装的方法，其中，所述阻挡金属层包括钛、镍-钒和金的层。

13.如权利要求9所述的制造半导体封装的方法，其中，所述边缘密封防止金层渗入到在焊接工艺期间所使用的焊接材料中以及防止在焊接材料中形成空洞。

14.如权利要求9所述的制造半导体封装的方法，其中，所述支撑结构为引线框架。

15.一种半导体封装，其包括：

半导体管芯，其包括：

基板；

形成在所述基板的第一表面中的至少一个金属焊盘；

形成在相对于基板的第一表面的第二表面上的粘附/镀层，其具有边缘部分；

形成在所述粘附/镀层上的金层，其具有边缘部分；

形成在所述金层的表面上的阻挡金属层，

其中所述阻挡金属层在所述金层的边缘部分及所述粘附/镀层的边缘部分的周围产生边缘密封；以及

焊接到所述半导体管芯的支撑结构。

16.如权利要求15所述的半导体封装，其中，所述基板包括砷化镓。

17.如权利要求1 5所述的半导体封装，其中，所述边缘密封防止金层渗入到焊接材料中。