[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，已经开发出了包括设置在绝缘表面上的薄膜晶体管的半导体装置。为了制造这样的半导体装置，存在这样一种技术，其中，在衬底上形成释放层，在所述释放层上形成晶体管，并采用诸如卤素氟化物的蚀刻剂去除所述释放层(例如，参考文献1：日本专利No.3406727)。

发明内容

诸如三氟化氯(ClF₃)的被用作去除释放层的蚀刻剂的卤素氟化物价格昂贵。相应地，在采用这样的蚀刻剂时，难以降低半导体装置的制造成本。此外，采用蚀刻剂逐渐去除释放层的步骤需要几个小时，这是导致半导体装置的低生产率的原因之一。

考虑到这样的问题，本发明的目的在于提供一种具有降低的制造成本的半导体装置制造方法。本发明的另一目的在于提供一种具有减少的制造时间和提高的生产率的半导体装置制造方法。

本发明的半导体装置制造方法包括的步骤有：在衬底上形成第一层，形成与所述第一层接触的第二层，形成与所述第二层接触的第三层，形成与所述第三层接触的包括薄膜晶体管的第四层，采用激光(也称为激光束)照射所述第二层、第三层和第四层，以形成至少暴露所述第二层的开口部分，使第一膜附着至所述第四层的表面，以及在所述第二层内部或者所述第二层和第三层之间的界面处使所述第四层与所述衬底分离。

在上述步骤之后，包括使所述第二层或第三层的表面附着至第二膜的步骤。通过这一步骤，使所述第一膜和第二膜覆盖所述第二层和第三层。

注意，在使所述第四层与所述衬底在所述第二层内部的边界处分离的情况下，使所述第二膜附着至所述第二层的表面。此外，在使所述第四层与所述衬底在所述第二层和所述第三层之间的界面处分离的情况下，使所述第二膜附着至所述第三层的表面。

在上述半导体装置制造方法中，形成含有硅的氧化物或硅的氮化物的层作为第一层。形成含有钨或钼的层作为第二层。形成含有硅的氧化物或硅的氮化物的层作为第三层。形成薄膜晶体管和起着天线作用的导电层作为第四层。

注意，可以省略形成第一层的步骤。

本发明的一个特征在于形成了至少暴露所述第二层的开口部分。此外，在形成所述第二层的所述暴露部分之后，所述暴露部分起着源头的作用，从而能够在所述第二层内部的边界处使包括所述第三层和第四层的叠层与其上形成了所述第一层的衬底分离。

注意，形成至少暴露所述第二层的开口部分意味着形成了至少去除所述第三层和第四层的开口部分。

本发明的另一特征在于执行激光照射，以形成暴露所述第二层的开口部分。因而，在采用激光照射的本发明中，可以在无需像光刻法那样执行多个步骤的情况下形成开口部分。因此，能够缩短制造时间，并极大提高成品率。

本发明的另一特征在于形成薄膜晶体管和起着天线作用的导电层作为所述第四层。通过上述特点，根据本发明制造的半导体装置具有电磁波收发功能。

根据本发明，能够提供一种具有降低的制造成本的半导体装置制造方法。此外，能够提供一种具有缩短的制造时间和提高的成品率的半导体装置制造方法。

附图说明

在附图中：

图1A到1E示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图2A和2B示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图3A到3E示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图4A到4C示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图5A和5B示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图6A和6B示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图7A和7B示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图8示出了本发明的半导体装置的制造方法；

图9示出了本发明的半导体装置；

图10A到10D示出了采用本发明的半导体装置的物品；

图11A到11C示出了本发明的半导体装置的制造方法；以及

图12示出了试验结果。

具体实施方式

实施模式

将参考附图详细描述本发明的实施模式和实施例。注意，本领域技术人员容易理解，本发明不限于下述说明，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种形式和细节上的改变。因此，本发明不限于下文中对实施模式和实施例的说明。在本发明的结构当中，为相同部件和具有相同功能的部件统一给出了相同的附图标记。

(实施模式1)

将参考图1A到1E的截面图以及图2A和图2B的顶视图描述本发明的实施模式1。