[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：

在衬底上形成含有金属的第一层；

在所述第一层上形成含有无机材料的第二层；

在所述第二层上形成包括薄膜晶体管的第三层；

采用激光照射所述第一层、第二层和第三层，以形成至少穿过所述第二层和第三层的开口部分；以及

至少将所述第三层与所述衬底分离。

2.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：

在衬底上形成含有金属的第一层；

在所述第一层上形成含有无机材料的第二层；

在所述第二层上形成包括薄膜晶体管的第三层；

在所述第三层上形成含有树脂的第四层；

采用激光照射所述第一层、第二层、第三层和第四层，以形成至少穿过所述第二层、第三层和第四层的开口部分；以及

至少将所述第三层和第四层与所述衬底分离。

3.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：

在衬底上形成含有第一无机材料的第一层；

在所述第一层上形成含有金属的第二层；

在所述第二层上形成含有第二无机材料的第三层；

在所述第三层上形成包括薄膜晶体管的第四层；

采用激光照射所述第一层、第二层、第三层和第四层，以形成至少穿过所述第三层和第四层的开口部分；以及

至少将所述第四层与所述衬底分离。

4.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：

在衬底上形成含有第一无机材料的第一层；

在所述第一层上形成含有金属的第二层；

在所述第二层上形成含有第二无机材料的第三层；

在所述第三层上形成包括薄膜晶体管的第四层；

在所述第四层上形成含有树脂的第五层；

采用激光照射所述第一层、第二层、第三层、第四层和第五层，以形成至少穿过所述第三层、第四层和第五层的开口部分；以及

至少将所述第四层和第五层与所述衬底分离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一层内使所述第三层与所述衬底分离。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一层和所述第二层之间的界面处使所述第三层与所述衬底分离。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，形成钨或钼作为所述金属，形成硅的氧化物或硅的氮化物作为所述无机材料，形成薄膜晶体管和起着天线作用的导电层作为所述第三层。

8.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一层内使所述第三层和第四层与所述衬底分离。

9.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一层和所述第二层之间的界面处使所述第三层和第四层与所述衬底分离。

10.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，形成钨或钼作为所述金属，形成硅的氧化物或硅的氮化物作为所述无机材料，形成薄膜晶体管和起着天线作用的导电层作为所述第三层。

11.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二层内使所述第四层与所述衬底分离。

12.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二层和所述第三层之间的界面处使所述第四层与所述衬底分离。

13.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，形成硅的第一氧化物或硅的第一氮化物作为所述第一无机材料，形成钨或钼作为所述金属，形成硅的第二氧化物或硅的第二氮化物作为所述第二无机材料，形成薄膜晶体管和起着天线作用的导电层作为所述第四层。

14.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二层内使所述第四层和第五层与所述衬底分离。

15.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二层和所述第三层之间的界面处使所述第四层和第五层与所述衬底分离。

16.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，形成硅的第一氧化物或硅的第一氮化物作为所述第一无机材料，形成钨或钼作为所述金属，形成硅的第二氧化物或硅的第二氮化物作为所述第二无机材料，形成薄膜晶体管和起着天线作用的导电层作为所述第四层。