[发明专利]具有绝缘涂层的高密度互联装置无效

专利信息
申请号: 200680016759.2 申请日: 2006-03-17
公开(公告)号: CN101176241A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: R·托马斯;R·A·弗雷谢特 申请(专利权)人: 因特普莱科斯纳斯公司
主分类号: H01R13/648 分类号: H01R13/648;H01R12/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 绝缘 涂层 高密度 装置
【权利要求书】:

1.一种高密度互联装置,包括:

连接器的主体内的多个晶片,该多个晶片包括至少一个信号晶片和至少一个与所述信号晶片相邻的屏蔽晶片;

每个信号晶片包括:

第一体表面;

第二体表面;

至少一个设置在上述体表面之间的边沿;以及

至少一个端子,其从上述至少一个边沿延伸;

每个屏蔽晶片包括:

第一体表面;

第二体表面;

至少一个设置在上述体表面之间的边沿;以及

绝缘涂层,其设置在所述第一体表面和第二体表面中的至少一个上,使得该具有所述绝缘涂层的体表面被设置为与包括所述至少一个端子的所述信号晶片的体表面相邻。

2.根据权利要求1的高密度互联装置,其中所述至少一个端子设置在每个信号晶片的所述第一体表面上,所述绝缘涂层设置在每个屏蔽晶片的所述第二体表面上。

3.根据权利要求1的高密度互联装置,其中所述至少一个端子设置在每个信号晶片的所述两个体表面上,所述绝缘涂层设置在每个屏蔽晶片的所述两个体表面上。

4.根据权利要求1的高密度互联装置,其中所述绝缘涂层由液体、粉末、带或者凝胶形成。

5.根据权利要求4的高密度互联装置,其中所述绝缘涂层包括绝缘墨。

6.根据权利要求1的高密度互联装置,其中所述绝缘涂层设置在所述晶片的中心区域上。

7.根据权利要求1的高密度互联装置,其中所述晶片是平行的。

8.一种高密度互联装置,包括:

连接器的主体内的多个晶片,该多个晶片包括至少一个信号晶片和至少一个与所述信号晶片相邻的屏蔽晶片;

每个信号晶片包括:

第一体表面;

第二体表面;

至少一个设置在上述体表面之间的边沿;

至少一个端子,其从上述至少一个边沿延伸;以及

绝缘涂层,其设置在具有所述至少一个端子的体表面上,所述绝缘涂层至少部分覆盖所述至少一个端子,以及

每个屏蔽晶片包括:

第一体表面;

第二体表面;

至少一个设置在上述体表面之间的边沿;以及

从上述至少一个边沿延伸的接地端子。

9.根据权利要求8的高密度互联装置,其中所述端子设置在所述信号晶片的所述第一和第二体表面上。

10.根据权利要求8的高密度互联装置,其中所述绝缘涂层由液体、糊、粉末、带或者凝胶形成。

11.根据权利要求10的高密度互联装置,其中所述绝缘涂层包括绝缘墨。

12.根据权利要求8的高密度互联装置,其中所述晶片是平行的。

13.一种高密度互联装置,包括:

连接器的主体内的多个晶片,该多个晶片包括至少一个信号晶片和至少一个屏蔽晶片,所述信号晶片和所述屏蔽晶片以交替方式设置,

每个信号晶片包括:

第一体表面;

第二体表面;

至少一个设置在上述体表面之间的边沿;以及

至少一个端子,其从上述至少一个边沿延伸;

每个屏蔽晶片包括:

第一体表面;

第二体表面;

至少一个设置在上述体表面之间的边沿;以及

绝缘涂层,其设置在所述第一体表面和第二体表面中的至少一个上,使得该具有所述绝缘涂层的体表面被设置为与包括所述至少一个端子的所述信号晶片的所述体表面相邻。

14.一种制造高密度互联装置的方法,包括步骤:

在体表面上设置至少一个信号端子,并从多个晶片中的至少一个的边沿延伸以产生至少一个信号晶片,

在体表面上设置接地端子,并从至少一个其它晶片的边沿延伸以产生至少一个屏蔽晶片,

将绝缘涂层涂敷至所述其它晶片的至少一个体表面;

层叠所述多个晶片使得所述信号晶片和所述屏蔽晶片以交替方式设置;以及

将所述多个晶片固定在连接器的主体内,

其中所述绝缘涂层设置为接近每个信号端子。

15.根据权利要求14的方法,其中将所述绝缘涂层涂敷在所述屏蔽晶片上。

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