[发明专利]栅极触点在有源区上的像素和形成所述像素的方法

权利要求书

1.一种成像像素，其包括：

光电转换装置；和

经配置以操作所述光电转换装置的电路，所述电路包括在沟道区上的晶体管栅极，所述栅极中的每一个均具有用以操作所述晶体管栅极的各自的触点，其中所述晶体管栅极包括转移栅极并且所述转移栅极的触点位于与所述转移栅极相关联的沟道区上。

2.如权利要求1所述的成像像素，其中所述晶体管栅极进一步包括重设栅极、源极跟随栅极和行选择栅极。

3.如权利要求1所述的成像像素，其中所述光电转换装置为光电二极管。

4.如权利要求1所述的成像像素，其中所述电路的至少一部分由第二成像像素共享。

5.如权利要求1所述的成像像素，其中所述像素为CMOS像素。

6.如权利要求1所述的成像像素，其中所述晶体管栅极宽至少约0.30μm。

7.如权利要求1所述的成像像素，其中所述晶体管栅极各自具有至少约0.10μm厚的栅极电极。

8.如权利要求1所述的成像像素，其中所述晶体管栅极各自包括氮化物或氧化物蚀刻终止层。

9.如权利要求1所述的成像像素，其中所述晶体管栅极各自包括硅化物蚀刻终止层。

10.如权利要求1所述的成像像素，其中每一触点宽约0.16μm至约0.22μm。

11.如权利要求1所述的成像像素，其中每一触点均在所述各自的晶体管栅极和相关联沟道区上。

12.如权利要求11所述的成像像素，其中每一触点有至少约0.05μm被所述各自的晶体管栅极所环绕，所述触点在这里与所述各自的晶体管栅极相接。

13.一种CMOS成像装置，其包括：

衬底；

位于所述衬底中的光电二极管；

位于所述衬底中的电荷存储区；

经配置以在所述光电二极管与所述电荷存储区之间选通电荷的转移栅极；

经配置以重设所述电荷存储区的重设栅极；

经配置以接收来自所述电荷存储区的电荷的源极跟随栅极；

经配置以将所述源极跟随栅极耦联到输出线的行选择栅极；和

所述转移栅极、重设栅极、源极跟随栅极和行选择栅极各自的触点插脚，其中每一各自的触点插脚均提供于有源区上。

14.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中至少所述转移栅极由第二光电二极管共享。

15.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中至少所述浮动扩散区、所述重设栅极、所述源极跟随栅极和所述行选择栅极由第二光电二极管共享。

16.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中每一栅极宽至少约0.30μm。

17.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中每一栅极具有厚至少约0.10μm的电极。

18.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中每一各自的触点插脚宽约0.16μm至约0.22μm。

19.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中所述装置为由类似装置构成的阵列的一部分。

20.如权利要求13所述的CMOS成像装置，其中所述各自的触点插脚各自位于与所述各自的栅极相关联的各自沟道区上。

21.一种形成成像像素的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成光电转换装置；

在所述衬底中的沟道区上提供多个栅极，所述多个栅极经配置以操作所述成像像素并且包括转移栅极；和

形成所述多个栅极中每一栅极的触点，其中至少所述转移栅极的触点位于所述沟道区中的一个各自的沟道区上。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述成像像素为CMOS成像像素。

23.如权利要求21所述的方法，其中所述光电转换装置为光电二极管。

24.如权利要求21所述的方法，其中所述多个栅极进一步包括重设栅极、源极跟随栅极和行选择栅极。

25.如权利要求21所述的方法，其中每一栅极宽至少约0.30μm。