[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，在半导体芯片上具有多个分别包括垫的电路单元，其特征在于：

所述电路单元包括：由高边晶体管、驱动所述高边晶体管的电平位移电路以及低边晶体管构成的高耐压驱动器，驱动所述高耐压驱动器的预驱动器，以及所述垫；

所述高边晶体管和所述低边晶体管夹着所述垫相向而设。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述高边晶体管、所述垫、所述低边晶体管、所述电平位移电路以及所述预驱动器布置在一条直线上。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：

进一步包括：布置在所述半导体芯片的中央部位的控制部，和夹着所述控制部与由所述多个电路单元构成的第一电路单元列相向且由多个所述电路单元构成的第二电路单元列。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于：

进一步包括：

布置在所述第一电路单元列和所述第二电路单元列各自的两端的高压电位用第一电源垫和基准电位用第二电源垫，

布置在所述第一电路单元列和所述第二电路单元列中各自的所述高边晶体管上且与所述第一电源垫电连接的高压电位的第一布线，以及

布置在所述第一电路单元列和所述第二电路单元列中各自的所述低边晶体管上且与所述第二电源垫电连接的基准电位的第二布线。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于：

进一步包括：为将布置在所述半导体芯片的中央部位的控制部包围而设的基准电位的第三布线。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：

进行的是将所述电平位移电路和所述预驱动器收纳在所述低边晶体管的单元宽度内的设计。

7.一种半导体集成电路，在半导体芯片上具有多个分别包括垫的电路单元，其特征在于：

所述电路单元包括：由高边晶体管、驱动所述高边晶体管的电平位移电路、高边再生二极管、低边晶体管以及低边再生二极管构成的高耐压驱动器，驱动所述高耐压驱动器的预驱动器，以及所述垫；

所述高边再生二极管和所述低边再生二极管夹着所述垫相向而设。

8.根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述高边再生二极管、所述垫、所述低边再生二极管、所述低边晶体管、所述高边晶体管、所述电平位移电路以及所述预驱动器布置在一条直线上。

9.根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于：

进一步包括：布置在所述半导体芯片的中央部位的控制部，和夹着所述控制部与由所述多个电路单元构成的第一电路单元列相向且由多个所述电路单元构成的第二电路单元列。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其特征在于：

进一步包括：

布置在所述第一电路单元列和所述第二电路单元列各自的两端的高压电位用第一电源垫和基准电位用第二电源垫，

布置在所述第一电路单元列和所述第二电路单元列中各自的所述高边再生二极管上且与所述第一电源垫电连接的高压电位的第一布线，以及

布置在所述第一电路单元列和所述第二电路单元列中各自的所述低边晶体管上且与所述第二电源垫电连接的基准电位的第二布线。

11.根据权利要求10所述的半导体集成电路，其特征在于：

进一步包括：为将布置在所述半导体芯片的中央部位的控制部包围而设的基准电位的第三布线。

12.根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于：

进行的是将所述电平位移电路和所述预驱动器收纳在所述低边晶体管的单元宽度内的设计。

13.一种半导体集成电路，在半导体芯片上具有多个分别包括垫的电路单元，其特征在于：

所述电路单元包括：由静电放电保护元件和低边晶体管构成的高耐压驱动器，驱动所述高耐压驱动器的预驱动器，以及所述垫；

所述静电放电保护元件和所述低边晶体管夹着所述垫相向而设。

14.根据权利要求13所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述静电放电保护元件、所述垫、所述低边晶体管以及所述预驱动器布置在一条直线上。