[发明专利]线性真空沉积系统无效
申请号: | 200680014310.2 | 申请日: | 2006-03-14 |
公开(公告)号: | CN101167173A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | W·T·布劳尼根;J·M·怀特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 真空 沉积 系统 | ||
1.一种真空传送系统,其至少包含:
一第一真空套管,具有一端口,用以密封地将该第一真空套管耦接至一制程处理室;
数个滚轮,可支撑并移动所述基材通过该第一真空套管;以及
一第一基材处理器,设于该第一真空套管内靠近该端口处。
2.如权利要求1所述的系统,更包括数个端口,用以密封地将该第一真空套管耦接至数个制程处理室,各端口具有一基材处理器设于其邻近处。
3.如权利要求2所述的系统,其中该第一真空套管更包括数个部段(segments)。
4.如权利要求1所述的系统,其中该第一真空套管、该数个滚轮及该基材处理器为第一真空传送模组的一部分,且其中该真空传送系统更包括一第二真空传送模组,其经由一负载锁定室耦接至该第一真空传送模组。
5.如权利要求4所述的系统,其中该第一真空传送模组维持在一第一真空压力下,而该第二真空传送模组维持在一不同于该第一真空压力的第二真空压力下。
6.如权利要求1所述的系统,其更包括一耦接至该第一真空套管的负载锁定室。
7.如权利要求1所述的系统,其中该数个滚轮的一部分所界定的一第一区域是相对于该数个滚轮的其余者作独立驱动。
8.如权利要求1所述的系统,其中该数个滚轮适于将其上的单一基材支撑于数种高度,且其中该基材的一前缘是支撑至数个滚轮的一紧邻者行进方向的高度之上。
9.如权利要求1所述的系统,其中该数个滚轮的各者是绕一偏移所述滚轮的中心的轴而偏心地转动,且其中该数个滚轮彼此呈相位差(out ofphase)方式转动。
10.如权利要求9所述的系统,其中该数个滚轮彼此是以约180度的相位差转动。
11.如权利要求9所述的系统,其中所述滚轮的各者是相对于数个滚轮的任一邻近者以约90度的相位差转动。
12.如权利要求1所述的系统,其中所述滚轮的各者为偏心状外形,并彼此之间呈相位差转动。
13.如权利要求12所述的系统,其中所述滚轮相对于彼此以约180度的相位差转动。
14.如权利要求12所述的系统,其中所述滚轮的各者是相对于数个滚轮的任一邻近者以约90度的相位差转动。
15.如权利要求1所述的系统,其中该第一基材处理器具有一位于该数个滚轮下方的闲置位置,以及一位于该数个滚轮上方的传送位置。
16.如权利要求1所述的系统,其中该第一基材处理器更包括数个耦接至一托架的支撑指,其中所述支撑指是经配置以在该垂直地移动数个滚轮的各者间。
17.如权利要求1所述的系统,其中该第一基材处理器更包括一内部基材处理器及一可独立控制的外部基材处理器。
18.如权利要求17所述的系统,其中该外部基材处理器包括耦接至一第一托架的一第一数个支撑指,且该内部基材处理器包括耦接至一第二托架的一第二数个支撑指。
19.如权利要求1所述的系统,其更包括一或多个体积缩减物,设于该第一真空套管内。
20.如权利要求1所述的系统,其更包括一第二真空套管,与该第一真空套管平行而设置且具有数个制程处理室耦接其间。
21.如权利要求20所述的系统,其更包括一连接器套管,大致垂直于该第一真空套管及该第二真空套管而设置,其中该连接器套管耦接该第一真空套管及该第二真空套管。
22.如权利要求21所述的系统,其更包括一第二基材处理器,设置于邻近该第一真空套管及该连接器套管之间的接口处。
23.如权利要求22所述的系统,其更包括数个升举销,设于该连接器套管中邻近该真空套管及该连接器套管间的接口处,其中所述升举销是经配置以与该第二基材处理器形成接口,以在该第一真空套管及该连接器套管之间交换一基材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680014310.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于汽车开闭件的铰链
- 下一篇:含有病毒的组合物以及浓缩病毒制剂的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造