[发明专利]半导体芯片的制造方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片的制造方法，包括：

在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，在所述第一表面上形成在通过划分区限定的多个器件形成区中放置的半导体器件和在划分区中放置的绝缘膜，以及在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，从而去除了与划分区相对应的部分，并且将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来；

通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下执行等离子体刻蚀，去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分；以及

随后，去除已暴露的绝缘膜，使得将器件形成区分离为单独的半导体芯片，从而制造了每一个均包括个体化半导体器件的半导体芯片，

其中，从半导体晶片上的第二表面、或者具有从在暴露绝缘膜之前或之后的任意时间放置的掩模的单独半导体芯片上另外执行各向同性等离子体刻蚀，实现角落部分的去除或绝缘膜的去除。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中通过执行各向同性等离子体刻蚀，在半导体晶片的器件形成区或半导体芯片中去除与在第二表面一侧上放置的掩模相接触的角落部分。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中：

通过在半导体晶片上执行各向异性等离子体刻蚀来执行绝缘膜的暴露；

通过连续地执行各向异性刻蚀去除角落部分；

通过从各向异性刻蚀切换到各向同性刻蚀，通过执行各向同性刻蚀去除与掩模相接触的角落部分；以及

然后去除绝缘体。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其中：

通过在用于各向异性刻蚀的等离子体条件和用于各向同性刻蚀的等离子体条件之间切换来执行各向异性刻蚀和各向同性刻蚀间的切换，通过将包括等离子体发生气体的压力、气体成分、高频输出或放电频率在内的一个参数或多个参数进行组合来确定所述用于各向异性刻蚀的等离子体条件和所述用于各向同性刻蚀的等离子体条件。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，在从第二表面进行的等离子体刻蚀中，将在半导体晶片的第一表面上由氧化硅(SiO₂)构成的绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，在从第二表面进行的等离子体刻蚀中，将由聚酰亚胺(PI)构成的表面保护膜作为绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来，所述表面保护膜用于保护在半导体晶片的第一表面上形成的半导体器件的表面。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，在去除绝缘膜之后，通过在半导体晶片的第二表面上执行灰化来去除所述掩模。

8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，从其上放置了掩模的半导体晶片的第二表面执行等离子体刻蚀，所述掩模具有在与每一个器件形成区的角落部分相对应的部分中形成的粗略弯曲的凸起部分，每一个器件形成区具有粗略的矩形区域。

9.一种半导体芯片的制造方法，包括：

在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀，在所述第一表面上形成在通过划分区限定的多个器件形成区中放置的半导体器件和在划分区中放置的绝缘膜，以及在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对，从而去除了与划分区相对应的部分，并且将绝缘膜从刻蚀底部部分中暴露出来；

通过在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面充电的状态下执行等离子体刻蚀，在去除器件形成区中与绝缘膜接触的第一表面一侧上的角落部分的同时，去除已暴露的绝缘膜，从而将器件形成区分离为单独的半导体芯片，并且因此制造了每一个均包括个体化半导体器件的半导体芯片，

其中，从半导体晶片上的第二表面、或者具有从在暴露绝缘膜之前或之后的任意时间放置的掩模的单独半导体芯片上另外执行各向同性等离子体刻蚀，实现角落部分的去除或绝缘膜的去除。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片的制造方法，其中通过执行各向同性等离子体刻蚀，在半导体晶片的器件形成区或半导体芯片中去除与在第二表面一侧上放置的掩模相接触的角落部分。