[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

(a)提供具有相对的第一和第二主要表面(4，6)的半导体衬底(2)；

(b)从所述第一主要表面(4)向所述第二主要表面(6)对多个横向间隔的纵向第一深腐蚀区域(18)进行蚀刻；

(c)在所述第一深腐蚀区域(18)的侧壁上形成隔离物(22)以保护所述深腐蚀区域的侧壁的至少一部分不被蚀刻；

(d)在所述第一深腐蚀区域(18)的基底上蚀刻第二深腐蚀区域(120)；

(e)在所述第二深腐蚀区域(120)的基底上而非所述第二深腐蚀区域(120)的侧壁上形成绝缘体(124)；以及

(f)在所述第二深腐蚀区域(120)的侧壁开始并且横向延伸以蚀刻空穴(26)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述在所述第二深腐蚀区域(120)的基底上形成绝缘体(124)的步骤包括：

在所述第一和第二深腐蚀区域(18，120)的侧壁上以及所述第二深腐蚀区域(120)的基底上沉积氮化物(122)；

执行垂直蚀刻以从所述第二深腐蚀区域(120)的基底蚀刻所述氮化物(122)，在所述第二深腐蚀区域(120)的基底上形成氧化物(124)；以及

通过对氧化物之上的氮化物进行选择性蚀刻来去除所述氮化物(122)，从而在所述第二深腐蚀区域的基底留下氧化物(124)，而所述第二深腐蚀区域的侧壁上没有氧化物和氮化物。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，蚀刻所述空穴的步骤包括：对所述空穴(26)进行足够时间蚀刻从而使得相邻深腐蚀区域(18)的空穴连在一起。

4.如上述任何一个权利要求所述的方法，所述方法包括：

在所述第一主要表面上形成漏极区域(134)，以及在所述漏极区域的任一侧上形成横向间隔的源极区域(132)；以及

定义绝缘栅极(144)以控制源极区域和漏极区域之间经由衬底区域(136)的传导；

其中，所述蚀刻所述第一深腐蚀区域(18)的步骤经由所述漏极区域和/或所述源极区域蚀刻所述第一深腐蚀区域；以及

所述蚀刻所述空穴(26)的步骤包括：在所述源极区域、漏极区域和衬底区域之下，对所述空穴进行蚀刻延伸到所述源极区域和漏极区域之间。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻所述第一深腐蚀区域(18)的步骤经由所述漏极区域蚀刻所述第一深腐蚀区域；以及

所述蚀刻所述空穴(26)的步骤包括：从所述漏极区域之下延伸到所述源极区域之下，蚀刻所述空穴。

6.如权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻所述第一深腐蚀区域(18)的步骤经由所述源极区域蚀刻所述第一深腐蚀区域；以及

所述蚀刻所述空穴(26)的步骤包括：从每个源极区域之下对所述空穴进行延伸蚀刻以在所述漏极区域之下相交。

7.如上述任何一个权利要求所述的方法，所述方法还包括：填充所述空穴。

8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底(2)，具有相对的第一和第二主要表面(4，6)；

多个横向间隔的纵向深腐蚀区域(18)，从所述第一主要表面(4)向所述第二主要表面(6)延伸；

空穴(26)，在所述深腐蚀区域(18)的基底；以及

至少一个电子半导体部件(36)，在所述深腐蚀区域之间的所述半导体衬底中，所述至少一个电子半导体部件(36)是晶体管、二极管、和/或结型半导体器件；

其中，所述半导体器件包括所述深腐蚀区域(18)的基底上的绝缘体(124)，所述空穴(26)从所述深腐蚀区域(18)的基底上的侧壁横向延伸。