[发明专利]功率转换装置有效

专利信息
申请号: 200680009432.2 申请日: 2006-12-07
公开(公告)号: CN101147313A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 浅井孝公 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M7/5387
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 功率 转换 装置
【权利要求书】:

1.一种功率转换装置,所述功率转换装置是将具有第1及第2主端子和控制端子的功率半导体开关的多个串联连接体并联连接构成的桥式功率转换装置,其特征在于,

设置栅极驱动电路,该栅极驱动电路用于所述功率半导体开关的第1主端子和控制端子之间仅在所述功率半导体开关关断时,将所述功率半导体开关的第1及第2主端子间的电压限制在规定值。

2.如权利要求1所述的功率转换装置,其特征在于,

所述栅极驱动电路具有:用于调整连接所述功率半导体开关的第1主端子的所述规定的限制电压的稳压二极管元件;用于阻断与所述功率半导体开关的控制端子连接的、从所述功率半导体开关的控制端子流向第1主端子的电流的反相阻断二极管元件;以及根据所述稳压二极管元件和反相阻断二极管元件间连接的所述功率半导体开关的控制端子的电压进行控制的半导体开关电路。

3.如权利要求2所述的功率转换装置,其特征在于,

所述半导体开关电路具有:构成其输出级开关的pnp型晶体管、以及构成其输入级开关利用所述功率半导体开关控制端子的电压进行开关控制的MOSFET,

所述pnp型晶体管的基极端子通过电阻元件与所述MOSFET连接。

4.如权利要求3所述的功率转换装置,其特征在于,

所述MOSFET的导通阈值电压小于所述功率半导体开关的导通阈值电压,

所述MOSFET的栅极端子直接连接所述功率半导体开关的控制端子。

5.如权利要求3所述的功率转换装置,其特征在于,

所述MOSFET的栅极端子连接电阻元件和电容元件构成的滤波器电路,

所述滤波器电路的时间常数为完全吸收所述功率半导体开关关断时消耗的直流电源线路的寄生电感的能量以前的期间,一直保持所述MOSFET的导通电压的时间常数。

6.如权利要求5所述的功率转换装置,其特征在于,

所述电容元件有比所述功率半导体开关的栅极输入电容足够小的电容。

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