[发明专利]激光加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用以将板状的加工对象物切割的激光加工方法。

背景技术

以往在这种技术方面，例如有记载于专利文献1的激光加工方法。记载于专利文献1的激光加工方法，是使激光沿着分割预定线照射在板状物上，以在板状物的内部形成改质层的方法。

【专利文献1】日本特开2005-28423号公报

但是，记载于专利文献1的激光加工方法中，改质层并不停留在板状物的内部而到达至板状物的外面(参照专利文献1的图6)，视容易分割的加工条件，在向将板状物分割成芯片状的带状扩张装置等的搬运过程、或在板状物的反转工序等中，存在板状物被小片化至尚未被全部分割成芯片的情况。这样的板状物的小片化，由于小片化后的小片的切割面彼此之间的磨合而产生碎片，不仅降低芯片的合格率，更因碎片化产生的粉尘造成对形成于板状物表面的电路等的污染的原因。

因而，本发明是鉴于此理由而开发的，其目的在提供一种激光加工方法，该激光加工方法可减少由于已形成改质区域的板状的加工对象物在其分割工序以外的工序中被小片化而产生碎片。

发明内容

为了达到上述目的，本发明的激光加工方法是，通过将聚光点对准板状的加工对象物的内部照射激光，沿着加工对象物的切割预定线在加工对象物的内部形成成为切割起点的改质区域；加工对象物具备有效部和包围该有效部的外缘部，在加工对象物的沿着切割预定线的部分中，在包括有效部的中间部分中使激光作脉冲振荡，在中间部分的两侧的一端部分及另一端部分使激光作连续振荡。

在该激光加工方法中，在加工对象物的沿着切割预定线的部分中，在包括有效部的中间部分使激光作脉冲振荡，在中间部分的两侧的一端部分及另一端部分使激光作连续振荡。连续振荡时的激光强度比脉冲振荡时的激光强度低，因此能够在中间部分形成改质区域，而在一端部分及另一端部分不形成改质区域。于是，改质区域不会到达至加工对象物的外面，因此加工对象物在其分割工序以外的工序中不会被小片化，从而能够降低由于小片化后的小片的切割面彼此之间的磨合而产生碎片。其另一方面，外缘部所包围的有效部中能够确实地形成改质区域，因此可以以改质区域作为切割之起点沿着切割预定线高精度地切割有效部。而且，改质区域是将聚光点对准于加工对象物的内部照射激光，通过在加工对象物的内部产生多光子吸收或其它的光吸收而形成的。

并且，在有效部的表面以矩阵状形成有多个功能元件。在此处，所谓“功能元件”，是指例如通过结晶成长而形成的半导体动作层、发光二极管等的受光元件，激光二极管等的发光元件，作为电路而形成的电路元件等。

另外，切割预定线优选以通过相邻功能元件之间的方式，相对于加工对象物设定成格子状。如上所述，由于能够沿着切割预定线高精度地切割有效部，因此能够以精度良好地被切割的状态得到具有功能元件的多个芯片。

此外，有效部及外缘部由半导体材料形成为一体，改质区域包括熔融处理区域。

此外，也可以在形成改质区域之后沿着切割预定线切割加工对象物。此时，如上所述，能够以改质区域作为切割起点沿着切割预定线高精度地切割有效部。

根据本发明，由于形成改质区域的板状的加工对象物不易在其分割工序以外的工序中被小片化，因此可减少由于小片化后的小片的切割面彼此之间的磨合而产生碎片。

附图说明

图1是本实施方式的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。

图2是沿着图1所示的加工对象物的II-II线的截面图。

图3是本实施方式的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。

图4是沿着图3所示的加工对象物的IV-IV线的截面图。

图5是沿着图3所示的加工对象物的V-V线的截面图。

图6是利用本实施方式的激光加工方法所切割的加工对象物的平面图。

图7是显示本实施方式的激光加工方法中电场强度和裂纹点的大小的关系的曲线图。

图8是本实施方式的激光加工方法的第1工序中的加工对象物的截面图。

图9是本实施方式的激光加工方法的第2工序中的加工对象物的截面图。

图10是本实施方式的激光加工方法的第3工序中的加工对象物的截面图。

图11是本实施方式的激光加工方法的第4工序中的加工对象物的截面图。

图12是显示利用本实施方式的激光加工方法所切割的硅晶片的一部分的截面的照片的图。

图13是显示本实施方式的激光加工方法中激光的波长和硅基板的内部的穿透率的关系的曲线图。