[发明专利]形成凹进式通路装置的方法

权利要求书

1.一种形成与半导体构造相关联的凹进式通路装置的方法，其包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底内形成凹进式通路装置沟渠，一对所述凹进式通路装置沟渠彼此邻近；

在所述凹进式通路装置沟渠内形成导电栅极材料；

在所述导电栅极材料附近形成源极/漏极区；所述导电栅极材料和源极/漏极区一起形成对应于所述凹进式通路装置的晶体管装置；

在所述衬底内形成所述凹进式通路装置沟渠之后，在所述对的所述邻近凹进式通路装置之间形成隔离区沟渠；以及

用电绝缘材料填充所述隔离区沟渠以形成沟渠式隔离区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括单晶硅，且其中所述凹进式通路装置沟渠和所述隔离区沟渠延伸到所述衬底的单晶硅中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述凹进式通路装置沟渠延伸到所述单晶硅内的第一深度，且其中所述隔离区沟渠延伸到所述单晶硅内的第二深度，所述第二深度比所述第一深度深至少约两倍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述导电栅极材料在形成所述隔离区沟渠之后发生。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述导电栅极材料在形成所述隔离区沟渠之前发生。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电栅极材料包括导电掺杂硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电栅极材料包括导电掺杂硅，且其中所述形成所述导电栅极材料包括：

用大致未掺杂硅填充所述凹进式通路装置沟渠；以及

对所述凹进式通路装置沟渠内的硅进行掺杂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电绝缘材料包括二氧化硅。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电绝缘材料包括所述沟渠内的氮化硅衬垫；所述衬垫处于所述二氧化硅与所述衬底之间。

10.一种形成与半导体构造相关联的凹进式通路装置的方法，其包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底内形成凹进式通路装置沟渠；

用第一电绝缘材料填充所述凹进式通路装置沟渠；

将所述第一电绝缘材料图案化成界定多个通路装置区的掩模，所述通路装置区是由隔离区包围的岛状物；所述通路装置区仅包括所述凹进式通路装置沟渠的若干部分；

蚀刻到所述隔离区的衬底中以使所述隔离区的衬底凹进；

用第二电绝缘材料覆盖所述凹进衬底以用所述第二电绝缘材料覆盖所述隔离区；

去除所述第一电绝缘材料的至少大部分，同时留下所述第二电绝缘材料的至少大部分；以及

在去除所述第一电绝缘材料的至少大部分之后，在所述凹进式通路装置沟渠的由所述通路装置区包括的所述若干部分内形成栅极材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述衬底包括单晶硅，且其中所述凹进式通路装置沟渠延伸到所述衬底的单晶硅中。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电绝缘材料包括处于含二氧化硅层上方的含氮化硅层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述去除所述第一电绝缘材料的至少大部分去除所述含氮化硅层和所述含二氧化硅层两者。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻到所述隔离区的衬底中使所述衬底凹进到所述凹进式通路装置沟渠的最低水平面下方的水平面。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述通路装置区为大致椭圆形。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述通路装置区为大致椭圆形；其中所述大致椭圆形通路装置区具有主纵向椭圆轴；其中所述凹进式通路装置沟渠具有主长度轴；且其中所述大致椭圆形通路装置区的主纵向椭圆轴大致垂直于所述凹进式通路装置沟渠的主长度轴。

17.根据权利要求10所述的方法，其中所述通路装置区为大致椭圆形；其中所述大致椭圆形通路装置区具有主纵向椭圆轴；其中所述凹进式通路装置沟渠具有主长度轴；且其中所述大致椭圆形通路装置区的主纵向椭圆轴并不大致垂直于所述凹进式通路装置沟渠的主长度轴。