[发明专利]高纯硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 200680007451.1 申请日: 2006-02-28
公开(公告)号: CN101137577A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 伊藤信明;近藤次郎;冈泽健介;冈岛正树 申请(专利权)人: 新日铁高新材料
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 于辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 高纯 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法,其包括:

将氧化剂和矿渣一起加到熔融硅上,其中所述氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料:碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物和碱土金属氢氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述氧化剂加到所述熔融硅上,使所述氧化剂直接接触所述熔融硅。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述碱金属元素或碱土金属包括选自锂、钠、钾、镁、钙和钡中的至少一种元素。

4.根据权利要求2所述的方法,其中所述碱金属元素或碱土金属包括选自锂、钠、钾、镁、钙和钡中的至少一种元素。

5.一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法,其包括:

将氧化剂和矿渣一起加到熔融硅上,其中所述氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料:碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸镁、碳酸钙、上述各种碳酸盐的水合物、氢氧化镁和氢氧化钙。

6.根据权利要求5所述的方法,其中将所述氧化剂加到所述熔融硅上,使所述氧化剂直接接触所述熔融硅。

7.根据权利要求1所述的方法,其中将所述氧化剂加到所述熔融硅上面,并且所述矿渣随后加到所述氧化剂上面。

8.根据权利要求5所述的方法,其中将所述氧化剂加到所述熔融硅上面,并且所述矿渣随后加到所述氧化剂上面。

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