[发明专利]热处理板的温度设定方法、装置、程序及记录该程序的计算机可读取的记录媒体

说明书

技术领域

[0001]本发明涉及热处理板的温度设定方法、热处理板的温度设定装置、程序及记录该程序的计算机可读取的记录媒体。

背景技术

[0002]例如，半导体器件的制造的光刻工序中，例如，在晶圆上涂敷光刻胶液，形成光刻胶膜的光刻胶涂敷处理，对光刻胶膜进行规定图案曝光的曝光处理，曝光后促进光刻胶膜内的化学反应的加热处理(post-exposure baking：曝光后烘烤)，对曝光后的光刻胶膜进行显像的显像处理等依次进行，在晶圆上形成规定的光刻胶图案。

[0003]例如，上述的曝光后烘烤等的加热处理，在通常加热处理装置中进行。加热处理装置设有放置晶圆并进行加热的热板。热板，例如，内置加电发热的加热器，通过该加热器发热，将热板调整到预定温度。

[0004]上述加热处理中的热处理温度，最终会对在晶圆上形成的光刻胶图案的线宽有很大的影响。因而，为了严格控制加热时的晶圆面内的温度，上述加热处理装置的热板划分成多个区域，各区域内置独立的加热器，对各区域进行温度调整。

[0005]但是，上述热板各区域的温度调整，如果总体上以相同的设定温度进行，则例如由于各区域的热阻等的不同，热板上的晶圆面内的温度会有偏差。因而，对热板的各区域的设定温度进行温度校正(温度偏置)，并设定该各区域的温度校正值，使晶圆的面内温度均匀(参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开2001-143850号公报

发明内容

[0006]但是，如传统技术中那样，即使设定温度校正值，使晶圆面内的温度均匀，实际上，最终在晶圆上形成的光刻胶图案的线宽不能在晶圆面内均匀形成。

[0007]本发明的目的是，进行热板等的热处理板的温度设定，使光刻胶图案的线宽在晶圆等的基片面内均匀形成。

[0008]为达到上述目的之本发明，是放置基片并进行热处理的热处理板的温度设定方法，上述热处理在基片上形成光刻胶图案的光刻工序中进行，上述热处理板划分成多个区域，对每个该区域进行温度设定，而且，对上述热处理板的各区域设定温度校正值，用于调整热处理板上的基片的面内温度。上述各区域的温度校正值，通过热处理板中热处理而形成的光刻胶图案的线宽和温度校正值的相关性作成的计算模型计算并设定。上述计算模型，根据基片面内的光刻胶图案线宽测定值，计算出使基片面内的线宽均匀的温度校正值，根据在高度方向表示从基片面内的多个线宽测定位置的线宽测定值而示出基片面内的线宽测定值的偏差倾向，求出基片面内的X方向的梯度分量，与基片面内的X方向正交的Y方向的梯度分量，以及基片面内的弯曲分量的各偏差倾向分量，通过上述计算模型，也可以计算出温度校正值，使上述各偏差倾向分量减少。。

[0009]根据本发明，热处理板的各区域的温度校正值，通过光刻胶图案的线宽和温度校正值的相关性作成的计算模型计算并设定，使光刻胶图案的线宽在基片面内均匀。结果，通过热处理板中热处理形成的光刻胶图案在基片面内均匀形成。

[0010]在这种情况下，基片面内的多个线宽测定值，变换成3个偏差倾向分量，计算出温度校正值，使该偏差倾向分量减少，因此，容易计算出光刻胶图案在基片面内为均匀的温度校正值。

[0011]上述X方向的梯度分量和Y方向的梯度分量，可通过基片面内的多个线宽测定值用最小二乘法求出，上述弯曲分量，可从基片面内的线宽测定值的倾向中除去上述X方向的梯度分量和Y方向的梯度分量而求出。

[0012]上述计算模型也可分成，根据光刻胶液确定的一个模型分量和根据光刻胶液以外的其他处理条件所确定另一模型分量。在这种情况下，例如光刻胶液变更的场合，只变更光刻胶液影响的一个模型分量即可，可以简单快速应对光刻胶液的变更。

[0013]上述另一模型分量也可分为：根据在光刻工序中曝光处理条件而确定第1模型分量；以及根据曝光处理条件以外的处理条件而确定第2模型分量。

[0014]上述各区域的温度校正值也可对每个根据至少热处理温度和光刻胶液的种类的组合确定的处理配方而设定。在这种情况下，在对光刻胶图案的线宽有影响的热处理温度和光刻胶液的种类的任意一个变更时，变更各区域的温度校正值。结果，由于加热处理一直以合适的面内温度进行，因此最终形成的光刻胶图案的线宽在基片面内均匀形成。

[0015]上述热处理也可为在曝光处理后显像处理前进行的加热处理。