[发明专利]热处理板的温度设定方法、装置、程序及记录该程序的计算机可读取的记录媒体有效
| 申请号: | 200680004934.6 | 申请日: | 2006-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN101120434A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
| 发明(设计)人: | 城坂惠;富田浩;田所真任 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/38 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热处理 温度 设定 方法 装置 程序 记录 计算机 读取 媒体 | ||
1.一种放置基片并进行基片热处理的热处理板的温度设定方法,其中:
所述热处理,在基片上形成光刻胶图案的光刻工序中进行;
所述热处理板划分成多个区域并对该区域中的每个进行温度设定;
还对所述热处理板的各区域中的每个,设定用以调整热处理板上的基片的面内温度的温度校正值;
用根据热处理板中热处理后形成的光刻胶图案的线宽和温度校正值之间的相关而作成的计算模型,计算并设定所述各区域的温度校正值;
所述计算模型,根据基片面内的光刻胶图案的线宽测定值,计算出使基片面内的线宽成为均匀的温度校正值,根据在高度方向表示在基片面内的多个线宽测定位置的线宽测定值而示出的基片面内的线宽测定值的偏差倾向,求出基片面内的X方向的梯度分量、与基片面内的X方向正交的Y方向的梯度分量以及及基片面内的弯曲分量等各偏差倾向分量;
根据所述计算模型,算出使所述各偏差倾向分量减少的温度校正值。
2.权利要求1所述的热处理板的温度设定方法,其中:
所述X方向的梯度分量和Y方向的梯度分量,根据基片面内的多个线宽测定值用最小二乘法求出;
所述弯曲分量,通过从所述基片面内的线宽测定值的倾向除去所述X方向的梯度分量和Y方向的梯度分量而求出。
3.权利要求1所述的热处理板的温度设定方法,其中:
所述计算模型分离为根据光刻胶液而定的一个模型分量和根据光刻胶液以外的其他处理条件而定的另一模型分量。
4.权利要求3所述的热处理板的温度设定方法,其中:
所述另一模型分量还分离为在光刻工序中根据曝光处理条件而定的第1模型分量和根据曝光处理条件以外的处理条件而定的第2模型分量。
5.权利要求1所述的热处理板的温度设定方法,其中:
所述各区域的温度校正值,针对至少根据热处理温度和光刻胶液种类的组合所确定的每个处理配方而设定。
6.权利要求1所述的热处理板的温度设定方法,其中:
所述热处理是在曝光处理后显像处理前进行的加热处理。
7.一种放置基片并进行基片热处理的热处理板的温度设定装置,其中:
所述热处理,在基片上形成光刻胶图案的光刻工序中进行;
所述热处理板划分成多个区域,对该区域中的每个进行温度设定;
还对所述热处理板的各区域中的每个,设定用以调整热处理板上的基片的面内温度的温度校正值;
用根据热处理板中热处理后形成的光刻胶图案的线宽和温度校正值之间的相关而作成的计算模型,计算并设定所述各区域的温度校正值;
所述计算模型,可根据光刻胶图案的线宽测定值计算出使基片面内的线宽成为均匀的温度校正值,根据在高度方向表示在基片面内的多个线宽测定位置的线宽测定值而示出的基片面内的线宽测定值的偏差倾向,求出基片面内的X方向的梯度分量、与基片面内的X方向正交的Y方向的梯度分量以及及基片面内的弯曲分量等各偏差倾向分量;
根据所述计算模型,算出使所述各偏差倾向分量减少的温度校正值。
8.权利要求7所述的热处理板的温度设定装置,其中:
所述X方向的梯度分量和Y方向的梯度分量,根据基片面内的多个线宽测定值用最小二乘法求出;
所述弯曲分量,通过从所述基片面内的线宽测定值的倾向除去所述X方向的梯度分量和Y方向的梯度分量而求出。
9.权利要求7所述所述的热处理板的温度设定装置,其中:
所述计算模型分离为根据光刻胶液而定的一个模型分量和根据光刻胶液以外的其他处理条件而定的另一模型分量。
10.权利要求9所述的热处理板的温度设定装置,其中:
所述另一模型分量还分离为在光刻工序中根据曝光处理条件而定的第1模型分量和根据曝光处理条件以外的处理条件而定的第2模型分量。
11.权利要求7所述的热处理板的温度设定装置,其中:
所述各区域的温度校正值,针对至少根据热处理温度和光刻胶液种类的组合所确定的每个处理配方而设定。
12.权利要求7所述的热处理板的温度设定装置,其中:
所述热处理是在曝光处理后显像处理前进行的加热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





