[发明专利]用于不使用CdCl2大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法

权利要求书

1.用于大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法，所述薄膜在透明衬底上按顺序沉积，包括步骤：

-在所述衬底上沉积透明导电氧化物(TCO)膜；

-在所述TCO膜上沉积CdS膜；

-在所述CdS膜上沉积CdTe膜；

-使所述CdTe膜经受激活处理；

-在所述处理过的CdTe膜上沉积后触点膜；

该方法的特征在于CdTe膜的激活处理包括下述步骤：

-将在所述衬底上沉积的CdTe/CdS引入真空室中，

-将支撑衬底加热到380-420℃的操作温度，

-在真空室中引入惰性气体和从含氯氟烃和含氢氯氟烃产品选择的含氯惰性气体，由此根据所述产品的热离解的结果释放的氯与存在于电池表面上的固体CdTe反应以便产生TeCl₂和CdCl₂蒸气，

将真空应用于真空室，同时使温度保持在操作值，由此从电池表面消除任何剩余CdCl₂。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该惰性气体是氩。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，允许10-30mbar的含氯惰性气体和100-500mbar的惰性气体进入真空室。

4.如在前权利要求的任何一个所述的方法，其中，支撑衬底处于操作温度达1-10分钟。

5.如在前权利要求的任何一个所述的方法，其中，通过在未蚀刻的CdTe膜表面上的Sb₂Te₃层，形成后触点膜。

6.如权利要求5所述的方法，其中，由Mo或W层覆盖Sb₂Te₃层。

7.如权利要求5或6所述的方法，其中，通过以250-300℃溅射，形成Sb₂Te₃层。

8.如权利要求1至4的任何一个所述的方法，其中，通过由Mo或W层覆盖的As₂Te₃层，形成后触点膜。

9.如权利要求8所述的方法，其中，通过以200-250℃溅射，形成所述As₂Te₃层。

10.如在前权利要求的任何一个所述的方法，其中，透明导电氧化物是掺杂氟的In₂O₃。

11.如权利要求10所述的方法，其中，通过在包含氢和气态氟烷基化合物的惰性气体氛围中溅射，形成TCO层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，使用Ar和氢的混合物，其中，氢在1和3％vol.％之间以及氟烷基化合物为CHF₃。

13.根据在前权利要求的任何一个产生的CdTe/CdS薄膜太阳能电池。

14.如权利要求13所述的CdTe/CdS薄膜太阳能电池，包括透明衬底，在其上沉积透明导电氧化物(TCO)层，在所述TCO层上沉积CdS层，在所述CdS层沉积的CdTe层，以及在所述CdTe层上的后触点层，其中，所述后触点层沉积在通过从含氯氟烃和含氢氯氟烃产品选择的含氯惰性气体处理的CdTe膜的未蚀刻表面上。