[发明专利]防反射硬膜薄膜、光学元件和图像显示装置有效
申请号: | 200680003672.1 | 申请日: | 2006-01-13 |
公开(公告)号: | CN101111784A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 高田胜则;重松崇之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G02B1/10;B32B27/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 薄膜 光学 元件 图像 显示装置 | ||
1.一种防反射硬膜薄膜,其是在透明塑料薄膜基材的至少一面依次分别形成有至少一层作为固化涂膜层的硬膜层、防反射层的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
在形成硬膜层和防反射层直接接触的界面的层中,硬膜层形成材料含有具有(甲基)丙烯酸酯基的固化性化合物(A)、相对于固化性化合物(A)100重量份为0.01~3重量份的具有(甲基)丙烯酸酯基的反应性硅酮(B),
而且所述防反射层形成材料含有具有硅氧烷成分的化合物。
2.根据权利要求1所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
反应性硅酮(B)在一分子中具有:具有硅氧烷结构的硅酮部分、且具有(甲基)丙烯酸酯基。
3.根据权利要求2所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
硅氧烷结构具有:具有-(Si(R1)(R2)-O)-重复单元的聚硅氧烷单元(所述R1、R2是碳原子数为1~6的烷基或苯基)。
4.根据权利要求3所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
聚硅氧烷单元是通式(1):
[化1]
所示的二甲基硅氧烷单元。
5.根据权利要求1所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
反应性硅酮(B)具有活性氢基。
6.根据权利要求5所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
活性氢基为羟基。
7.根据权利要求6所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
反应性硅酮(B)具有通式(2)
[化2]
所示的甲基,3-丙烯酰基-2-羟基丙基硅氧烷单元及/或通式(3)
[化3]
所示的甲基,2-丙烯酰基-3-羟基丙基硅氧烷单元。
8.根据权利要求6所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
反应性硅酮(B)具有通式(4)
[化4]
所示的甲基,末端丙烯酸酯基的聚乙二醇丙基醚单元(x为1~10的整数)及通式(5)
[化5]
所示的甲基,末端羟基的聚乙二醇丙基醚单元(x为1~10的整数)。
9.根据权利要求6所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
反应性硅酮(B)为通式(6)
[化6]
所示的(至少一个R具有选自具有硅氧烷结构的取代基、具有(甲基)丙烯酸酯基的取代基及具有活性氢基的取代基中的至少一个取代基)化合物的混合物(在该混合物中,R包括具有硅氧烷结构的取代基、具有(甲基)丙烯酸酯基的取代基及具有活性氢基的取代基)。
10.根据权利要求9所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
所述通式(6)所示的化合物具有通式(7)
[化7]
所示的结构。
11.根据权利要求9所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
在通式(6)所示的化合物中的R中,具有硅氧烷结构的取代基具有通式(8)
[化8]
所示的单元(x1为1~7)。
12.根据权利要求9所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
在通式(6)所示的化合物中的R中,具有活性氢基的取代基具有通式(9)
[化9]
所示的单元。
13.根据权利要求9所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
在通式(6)所示的化合物中的R中,具有丙烯酸酯基的取代基具有通式(10)
[化10]
所示的单元(m、n可以相同也可以不同,为1~10的整数,1为1~5)。
14.根据权利要求1所述的防反射硬膜薄膜,其特征在于,
硬膜层的厚度为2~50μm。
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