[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于利用施加了超声波的处理液来处理基板的基板处理装置。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等的制造过程中，有在半导体晶片或玻璃基板等基板上形成电路图形的光刻工序。在该光刻工序中，如众所周知，在上述基板上涂敷抗蚀剂，并隔着形成有电路图形的掩膜将光照射到该抗蚀剂上，接着除去抗蚀剂的没有照射光的部分(或者是照射光的部分)，并对除去的部分进行蚀刻，通过多次重复上述一系列工序，在上述基板上形成电路图形。

在上述一系列各工序中，若上述基板被污染，则不能精密地形成电路图形，成为产生不合格品的原因。因此，在各工序中，在形成电路图形时，在没有残留抗蚀剂或尘埃等微粒子的干净的状态下利用处理液处理上述基板。

作为用处理液处理上述基板的装置，已知有旋转处理装置。旋转处理装置具有杯体。在该杯体内设有转台，在该转台上可装卸地保持上述基板。

在上述转台的上方设有喷嘴体。此外，通过在旋转上述转台的同时从喷嘴体向基板供给处理液，由此处理该基板。

仅靠向基板供给处理液有时不能充分除去附着在基板上的污渍。因此，向供给基板的处理液施加超声波振动，来提高清洗效果。

以往，在将施加了超声波振动的处理液供给基板时使用了喷嘴体。喷嘴体具有处理液的供给口和喷射口，在内部设有振动板。从供给口向喷嘴体内部供给处理液，与进行超声波振动的上述振动板接触而被施加超声波振动之后，在开口面积变小的上述喷射口加速后喷射到基板上。

向上述基板喷射的处理液，通过超声波振动来重复加压和减压，在减压时在该处理液中产生以所溶解的气体为中心的气穴，通过在加压时该气穴被挤破而产生冲击波的气穴作用，除去上述基板的污渍。

众所周知，在处理液的温度升高时，通过向处理液施加超声波振动而产生的气穴作用变大。但是，若处理液的气穴作用变大，则有时形成在基板上的细微的布线由于该气穴作用而受损。因此，在向处理液施加超声波振动的情况下，要求控制处理液的温度。

此外，如上所述，现有的喷嘴体是使处理液与设置在喷嘴体内部的振动板接触来施加超声波振动的结构。进行超声波振动的振动板通过施加在振动板上的能量被加热成高温。因此，接触到振动板的处理液不能避免温度上升，所以若向该处理液施加超声波振动来处理基板，则有时对基板造成损伤。

此外，由于从喷嘴体的喷射口向基板喷射的处理液被加速，因此被加速的处理液不会对基板施加冲击，由此对基板造成损伤。

发明内容

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置在用施加超声波振动的处理液清洗基板时，能够可靠控制处理液的温度，由此能够在不损伤基板的情况下进行清洗处理。

即，该发明的基板处理装置，利用施加了超声波振动的处理液处理基板，其特征在于，具备：

振荡体，是直方体状并具有上述处理液的供给通路，该供给通路在该振荡体的长度方向的一端部的底面开口、并且向该振荡体的长度方向的另一端部倾斜形成；

振子，设在该振荡体的上表面，使振荡体进行超声波振动；

第1冷却机构，冷却供给上述供给通路的处理液。

附图说明

图1是表示作为该发明的一实施方式的处理装置的旋转处理装置的概略图。

图2是沿设在旋转处理装置的臂体上的振荡体的长度方向的剖面图。

图3是沿图2的X-X线的剖面图。

图4是振荡体的下端部的放大剖面图。

图5是测量处理液的温度、颗粒除去率及损伤之间的关系的图表。

具体实施方式

下面，参照附图说明该发明的一实施方式。

图1表示该发明的一实施方式的旋转处理装置。该旋转处理装置具备杯体1。在该杯体1的底部，在圆周方向上以规定间隔连接有多个排出管2。各排出管2与未图示的排气泵连通。

在上述杯体1内设有转台3。该转台3具有基部3a和将一端连结在该基部3a上的4个臂3b(只图示了2个)。在各臂3b的前端部分别设有支持部4。各支持部4包括支持销5和比支持销5更靠臂3b的前端侧设置的一对结合销6(仅图示了1个)。结合销6被设定为比支持销5高。

上述转台3上被供给用于形成液晶显示装置的玻璃制的基板W。被供给转台3的基板W的周边部的角部底面被上述支持销5支持，角部的一对侧面被上述结合销6结合保持。