[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200680003158.8 申请日: 2006-01-25
公开(公告)号: CN101107710A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 川端理仁;冨士原义人 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 肖鹂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及以倒装芯片安装方式将多个半导体芯片立体地安装在共用衬底上而形成的半导体装置及其制造方法。

背景技术

为了实现半导体装置的高密度化和小型化,大多是采用倒装芯片安装方式将半导体芯片安装到衬底上。倒装芯片安装是将不具有封装构造的半导体裸片以倒装状态安装在衬底的布线图案上的安装方式。

以往,提出有如下的安装构造,即,通过在一块进行了倒装芯片安装的半导体芯片上层叠另一半导体芯片(或者,在一块半导体芯片上立体地配置另一半导体芯片),以谋求安装面积的缩小(专利文献1~3)。

在专利文献1中,在一块半导体芯片上层叠另一半导体芯片,并使用引线接合来连接层叠的上侧的半导体芯片与衬底的布线图案(专利文献1)。

并且,在专利文献2和专利文献3中公开有如下所述的安装构造:为了在一块半导体芯片的上侧立体地配置另一半导体芯片,在衬底上配置专用的中继衬底(中继零件),通过该中继衬底(中继零件)来支承其上侧的半导体芯片。

专利文献1:日本专利特开平11-260851号公报

专利文献2:日本专利特开2002-170921号公报

专利文献3:日本专利特开2002-270760号公报

在专利文献1所述的安装技术中,由于引线接合的布线高度和用于密封引线部的树脂厚度,导致半导体装置的厚度变厚。并且,由于接合引线也在横向上延伸,所以与将各半导体芯片平面地配置的情况相比,未必能获得面积缩小的效果。

另外,在专利文献2或专利文献3所述的安装技术中,专用的中继衬底(中继零件)占据相当大的面积,如此一来,半导体装置的占用面积会相应地在横向上扩大,此时将与各半导体芯片平面地配置的情况相比,也未必能获得面积缩小的效果。另外,由于专用中继衬底(中继零件)的厚度会导致半导体装置的厚度也相应地增加,所以无法断言能产生充分的体积缩小的效果,并且,有时会因使用该中继衬底(中继零件)而导致成本增高。

如上所述,在现有的安装技术中,在层叠安装(或者立体安装)多个半导体芯片时,与将各芯片平面地配置的情况相比较,在面积、体积缩小的效果方面或者在成本方面存在一些不足。

发明内容

本发明是鉴于所述实际情况而开发的,本发明的目的在于:在将多个半导体芯片立体地配置的情况时,与现有方法相比能够控制厚度,减少专用面积,并且不使用其他零件即可实现低成本的安装,并且,简化该半导体装置的制造工序。

本发明的半导体装置包括:在主面上形成有规定的布线图案的衬底;第1半导体芯片,其具备用于与所述衬底的所述布线图案连接的第1电极,并通过将所述第1电极直接连接至所述布线图案的相应部位而进行倒装芯片安装;第2半导体芯片,其纵横长度均大于所述第1半导体芯片且具备用于与所述布线图案连接的第2电极,通过将所述第2电极直接连接至所述布线图案的相应部位而进行倒装芯片安装,并且,所述第2电极的厚度以及与所述第2电极连接的所述布线图案的相应部位的厚度总和超过所述第1半导体芯片的厚度、所述第1电极的厚度以及与所述第1电极连接的所述规定部位的布线图案的厚度总和,由此,所述第2半导体芯片位于所述第1半导体芯片之上。

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