[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.半导体装置，其特征在于，包括：

在主面上形成有规定的布线图案的衬底；

第1半导体芯片，其具备用于与所述衬底的所述布线图案连接的第1电极，通过将所述第1电极直接连接至所述布线图案的相应部位而进行倒装芯片安装；

第2半导体芯片，其纵横长度均大于所述第1半导体芯片且具备用于与所述布线图案连接的第2电极，通过将所述第2电极直接连接至所述布线图案的相应部位而进行倒装芯片安装，并且，所述第2电极的厚度以及与所述第2电极连接的所述布线图案的相应部位的厚度总和超过所述第1半导体芯片的厚度、所述第1电极的厚度以及与所述第1电极连接的所述规定部位的布线图案的厚度总和，所述第2半导体芯片位于所述第1半导体芯片之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1半导体芯片的靠所述第2半导体芯片侧的表面上形成有屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1半导体芯片的所述第1电极是高度较低的金属电极，所述第2半导体芯片的所述第2电极是由用于焊盘的较厚的金属层所构成的高度较高的电极。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在连接有所述第2半导体芯片的所述第2电极的所述布线图案的相应部位，形成有通过金属镀敷而形成的突起状部分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

第1半导体芯片通过绝缘性树脂粘结在第2半导体芯片上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底与所述第2半导体芯片之间利用热固性绝缘树脂来密封。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底与所述第2半导体芯片之间利用热塑性绝缘树脂来密封。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底是由紫外线透射性基材构成的衬底、或者是其一部分具有开口部的衬底，并且，在不覆盖所述第1半导体芯片的所述衬底侧表面的状态下、利用紫外线固化性绝缘树脂形成密封构造。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底是由紫外线透射性基材构成的衬底、或者是其一部分具有开口部的衬底，并且，仅在所述第1半导体芯片及第2半导体芯片各自与所述衬底的所述布线图案的相应部位连接的部分的周围，利用紫外线固化性绝缘树脂形成密封构造。

10.一种半导体装置的制造方法，其用于制造权利要求1、3或4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，包括：

准备所述衬底的工序，进行通过背面研磨而使厚度减薄的加工，并且在所述衬底的主面上形成规定的布线图案；

形成立体倒装芯片安装构造的工序，将具有所述第1电极的第1半导体芯片以及具有所述第2电极的第2半导体芯片分别在所述衬底上进行倒装芯片安装，且使所述第2半导体芯片位于所述第1半导体芯片之上。

11.一种半导体装置的制造方法，其用于制造权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在权利要求10所述的工序的基础上，还包括在所述第1半导体芯片的靠所述第2半导体芯片侧的表面形成屏蔽层的工序。

12.一种半导体装置的制造方法，其用于制造权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

权利要求10所述的形成所述立体倒装芯片安装构造的工序包括：将所述第1半导体芯片粘结在所述第2半导体芯片上而使两芯片一体化，并将经过所述一体化的所述第1半导体芯片及第2半导体芯片一同在所述衬底上进行倒装芯片安装的工序。

13.一种半导体装置的制造方法，其用于制造权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

在权利要求10所述的工序的基础上，还包括如下的工序：

向倒装芯片安装有所述第1半导体芯片的区域供给薄膜状或膏状的绝缘性树脂或者各向异性导电性树脂；

向倒装芯片安装有所述第2半导体芯片的区域供给薄膜状或膏状的绝缘性树脂或者各向异性导电性树脂。