[发明专利]采样及电平移动电路无效

专利信息
申请号: 200680002455.0 申请日: 2006-01-18
公开(公告)号: CN101203920A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 索拉森·卢纳 申请(专利权)人: 爱特梅尔公司
主分类号: G11C27/02 分类号: G11C27/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 孟锐
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 采样 电平 移动 电路
【权利要求书】:

1.一种电路包括:

对差分信号进行采样的第一开关;

对所述采样差分信号进行电平移动的第二开关,其中所述第一和第二开关交叉耦合以消除在所述第一和第二开关之间注入的电荷,并使所述电荷转移线性化;以及

在所述第一和所述第二开关之间耦合的电容器。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一开关包括适于耦合第一电压的第一和第二采样晶体管;和适于耦合第二电压的第三和第四采样晶体管;以及

其中所述第二开关包括耦合在一起的第一和第二电平移动晶体管,其中所述第一电平移动晶体管与所述第一采样晶体管耦合,所述第二电平移动晶体管与所述第四采样晶体管交叉耦合;以及第三和第四电平移动晶体管耦合在一起并与所述第一和第二电平移动晶体管耦合,其中所述第三电平移动晶体管耦合所述第三采样晶体管,所述第四电平移动晶体管与所述第二采样晶体管交叉耦合。

3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一,第二,第三和第四采样晶体管是PFET晶体管,所述第一,第二,第三和第四电平移动晶体管是NFET晶体管。

4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路与集成级耦合。

5.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电容器跨接所述第一和第二开关。

6.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述电容器与所述第一,第二,第三和第四采样晶体管,以及所述第一,第二,第三和第四电平移动晶体管平行耦合。

7.一种电路包括:

对差分信号进行采样的第一开关,所述第一开关包括适于耦合第一和第二电压的多个第一晶体管;

对所述采样差分信号进行电平移动的第二开关;所述第二开关包括多个第二晶体管;其中所述多个第一晶体管中的至少一个与所述多个第二晶体管中的至少一个交叉耦合以消除在所述第一和第二开关之间注入的电荷,并使所述电荷转移线性化;以及

在所述第一和所述第二开关之间耦合的电容器。

8.如权利要求7所述的电路,其特征在于,所述多个第一晶体管包括PFET晶体管,和所述多个第二晶体管包括NFET晶体管。

9.如权利要求7所述的电路,其特征在于,所述电容器跨接所述第一和第二开关。

10.如权利要求7所述的电路,其特征在于,所述电容器与所述多个第一和第二晶体管平行耦合。

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