[发明专利]嵌入元件的静电放电保护

权利要求书

1.电压可变材料(VVM)结构，包括：

第一和第二绝缘层；

放在第一和第二绝缘层之间的电元件；

与所述电元件电连通的第一和第二导体，所述导体在第一和第二绝缘层之间延伸；

形成于第一和第二导体之间的间隙；及

跨间隙置放的一些VVM，使其与第一和第二电极电连通，VVM用于在出现静电放电事件时提供保护。

2.根据权利要求1的VVM结构，其中电元件为选自下组的至少一类型：电阻器、电容器、电感器、变压器、半导器件、绝缘体、导体、集成电路，并被构造为薄膜。

3.根据权利要求1的VVM结构，其中绝缘材料为选自下组的类型：FR-4、环氧树脂、陶瓷、玻璃、聚合物及其组合。

4.根据权利要求1的VVM结构，其中电元件(i)使第一和第二导体分开以形成间隙，VVM跨所述间隙置放；或(ii)使第一和第二导体分开以形成间隙，VVM跨第一和第二绝缘层之一中形成的通道及其中置放。

5.根据权利要求1的VVM结构，其中通道形成在绝缘材料中，通道形成间隙，VVM跨间隙置放及放于其中。

6.根据权利要求5的VVM结构，其中绝缘材料为第一和第二绝缘层之一。

7.根据权利要求1的VVM结构，其中VVM跨间隙置放并放于其中，至少填充一部分间隙。

8.根据权利要求1的VVM结构，其中第一或第二绝缘层中至少之一具有大于1平方英寸的表面积。

9.根据权利要求1的VVM结构，其包括位于第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层，第一导体的至少一部分位于第一和第三绝缘层之间，及第二导体的至少一部分位于第二和第三绝缘层之间。

10.根据权利要求9的VVM结构，其中(i)第三绝缘层确定通道，VVM跨所述通道置放并放于其中；或(ii)第一导体延伸在第二和第三绝缘层之间，电元件与第二和第三绝缘层之间的第一和第二导体电连通。

11.根据权利要求1的VVM结构，其中间隙为由第一绝缘层确定的通道，所述通道延伸穿过第一绝缘层的外表面，VVM跨所述通道置放并填充至少部分通道。

12.根据权利要求11的VVM结构，其中第一和第二导体之一沿外表面延伸以与VVM电连通。

13.根据权利要求1的VVM结构，其中至少第一电极延伸穿过第一和第二绝缘层之一并沿第一或第二绝缘层的外表面延伸。

14.根据权利要求13的VVM结构，其中(i)第一电极沿外表面与VVM电连通；或(ii)VVM放在第一或第二导体之间。

15.电压可变材料(VVM)结构，包括：

第一和第二绝缘层；

放在第一和第二绝缘层之间的电元件；

与所述电元件电连通的第一和第二导体，所述导体在第一和第二绝缘层之间延伸；及

一些接触第一或第二导体并与所述电元件并联电连通的VVM，VVM用于在出现放电事件时提供保护。

16.根据权利要求15的VVM结构，其中VVM放在第一或第二导体之间。

17.根据权利要求15的VVM结构，其包括由第一或第二导体形成的间隙，VVM跨间隙置放并放于间隙中。

18.电压可变材料(VVM)结构，包括：

第一和第二绝缘层；

放在第一和第二绝缘层之间的电元件；

与所述电元件电连通的第一和第二导体，第一导体延伸穿过第一绝缘层以与电元件连通；及

一些接触第一或第二导体并与所述电元件并联电连通的VVM，VVM用于在出现放电事件时提供保护。

19.根据权利要求18的VVM结构，其中第二导体延伸穿过第一和第二绝缘层之一。

20.根据权利要求18的VVM结构，其中第一和第二导体中至少之一(i)延伸穿过绝缘层之一；或(ii)沿绝缘层之一的外表面延伸。

21.根据权利要求18的VVM结构，其包括第三绝缘层，第一导体延伸在第一和第三绝缘层之间。