[发明专利]压入配合端子、用于制造该端子的方法和压入配合端子与电路板之间连接的结构无效

专利信息
申请号: 200680001517.6 申请日: 2006-01-17
公开(公告)号: CN101138134A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 斋藤宁 申请(专利权)人: 株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
主分类号: H01R12/04 分类号: H01R12/04;H01R13/03;H01R12/32;H01R43/16
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 田军锋;王爱华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 配合 端子 用于 制造 方法 电路板 之间 连接 结构
【权利要求书】:

1.将插入到电路板的导电通孔中的压入配合端子,该压入配合端子包括:

底镀层,它包括一个或多个镀层,形成在压入配合端子的连接部分中端子基座的表面上,该表面与通孔电接触;

顶镀层的锡和底镀金属的合金层,它形成在底镀层上;及

未合金锡,它混合在合金层的外层中。

2.如权利要求1所述的压入配合端子,其特征在于,该未合金锡在合金层的外层中孤立。

3.如权利要求1或2所述的压入配合端子,其特征在于,当底镀层包括一个镀层时,镀层的电镀金属为镍和铜中的一个。

4.如权利要求1或2所述的压入配合端子,其特征在于,当底镀层包括两个镀层时,镀层的电镀金属为镍和铜中的一个,并且从端子基座的表面顺序为铜和镍。

5.如权利要求1或2所述的压入配合端子,其特征在于,当底镀层包括三个镀层时,镀层的电镀金属从端子基座的表面顺序为铜、镍和铜。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的压入配合端子,其特征在于,未合金锡具有从合金层的外表面几纳米到50纳米的深度。

7.用于制造用于插入到电路板的导电通孔中的压入配合端子的方法,该方法包括步骤:

形成底镀层,该底镀层包括压入配合端子的连接部分中端子基座的表面上的一个或多个镀层,该表面与通孔电连接;

在顶镀层上形成镀锡层;及

在形成镀锡层的步骤之后,进行热处理的回流处理,以在底镀层上形成锡和顶镀层的底镀金属的合金层,以及使未合金锡混合在合金层的外层中。

8.如权利要求7所述的用于制造压入配合端子的方法,其特征在于,在进行回流处理的步骤中,未合金锡在合金层的外层中孤立。

9.如权利要求7或8所述的用于制造压入配合端子的方法,其特征在于,镀锡层的厚度在0.1至0.7微米。

10.如权利要求7至9中任意一项所述的用于制造压入配合端子的方法,其特征在于,当底镀层包括一个镀层时,镀层的电镀金属为镍和铜中的一个。

11.如权利要求7至9中任意一项所述的用于制造压入配合端子的方法,其特征在于,当底镀层包括两个镀层时,镀层的电镀金属为镍和铜中的一个,并且从端子基座的表面顺序为铜和镍。

12.如权利要求7至9中任意一项所述的用于制造压入配合端子的方法,其特征在于,当底镀层包括三个镀层时,镀层的电镀金属从端子基座的表面顺序为铜、镍和铜。

13.如权利要求7至12中任意一项所述的用于制造压入配合端子的方法,其特征在于,在进行回流处理的步骤中热处理温度从200到300℃。

14.压入配合端子和电路板的导电通孔之间连接的结构,其特征在于

包括一个或多个镀层的底镀层形成在压入配合端子的连接部分中端子基座的表面上,顶镀层的锡和底镀金属的合金层形成在底镀层上,

未合金锡混合在合金层的外层中,及

压入配合连接部分的表面硬度高于通孔的连接部分的表面硬度。

15.如权利要求14所述的压入配合端子和电路板之间连接的结构,其特征在于,该未合金锡在合金层的外层中孤立。

16.如权利要求14或15所述的压入配合端子和电路板之间连接的结构,其特征在于,当底镀层包括一个镀层时,镀层的电镀金属为镍和铜中的一个。

17.如权利要求14或15所述的压入配合端子和电路板之间连接的结构,其特征在于,当底镀层包括两个镀层时,镀层的电镀金属为镍和铜中的一个,并且从端子基座的表面顺序为铜和镍。

18.如权利要求14或15所述的压入配合端子和电路板之间连接的结构,其特征在于,当底镀层包括三个镀层时,镀层的电镀金属从端子基座的表面开始为铜、镍、铜。

19.如权利要求14至18中的任意一项所述的压入配合端子和电路板之间连接的结构,其特征在于,未合金锡具有从合金层的外表面几纳米到50纳米的深度。

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