[实用新型]发光二极管改良

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管改良，尤指一种可增加壳体与支架间的定位效果，以及可提高散热效果的发光二极管改良。

背景技术

所谓发光二极管乃是一种由半导体材料构成，利用半导体晶体中的电子与电洞的结合而发出光子，产生不同频率的光谱的发光组件，亦即由n型半导体晶体和p型半导体晶体结合而成的发光芯片，在通电之后，n型半导体晶体多余的电子流动至p型半导体晶体的电洞，由于电位的差异，使n型半导体晶体的电子落入p型半导体晶体的电洞过程中，会释放出能量，其能量释放的方式即是以光的方式进行，而产生不同波长的光线。

如图1所示，即为一般发光二极管的基本架构图，其中，发光二极管1设有支架11，其支架11并设有不相连的承载部111，并且将发光芯片12以导电或不导电胶材或以共晶方式固设在其中一承载部11上，再由金线13(或相同导电功能的导线)构成发光芯片12与各承载部111的连结，而在两个支架之间施加不同电压，形成二个不同电极(正、负极)的承载部111，藉由电子与电洞结合放出能量而产生光。

然而，请同时参阅图2所示，该支架11成型时以冲压加工作业先在一平直的金属料带上冲制成型两个相互对应而且相对应端不相连的承载部111，接着以注塑加工作业在两个承载部111的区域成型一塑料壳体14，接着在以冲压加工作业将承载部111伸出塑料壳体14的区段冲制成为既定形状的接脚15区段，再经过至少一道冲压动作将接脚15区段朝向相对应于塑料壳体14的既定位置弯折，以成为完整的接脚15构造，即完成整体支架的加工制程，而获致可于承载部111定置发光芯片，并且于塑料壳体14填入相关萤光材料或封装材料的发光二极管支架构造。

然而，该支架11为平直的结构，当于该两承载部111的区域成型塑料壳体14时，其塑料壳体14与支架11的接触定位效果仅由两平直接触面构成，其定位效果不佳，而使支架11与塑料壳体14容易相互分离；再者，该发光二极管的发光芯片12运作时，所产生的热量无法有效散去，使整体发光二极管的温度逐渐升高，终致温度过高而无法运作。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于解决上述的缺失，提供一种可增加壳体与支架间的定位效果，以及可提高果的发光二极管改良。

为达上述目的，本实用新型的发光二极管改良，其至少包含有：壳体、设于壳体中的支架、至少一发光芯片以及封装胶体，该支架设有一可供置放发光芯片的置放区，以及与置放区分离的电极区，且该置放区并于适当位置处形成有段差部，藉由该段差部可增加壳体与支架的接触面积，并可增加壳体与支架相互定位的稳定性。

另外，该置放区的厚度大于电极区，且该容置槽底部相对于置放区处形成有开口，使置放区底部外露于壳体底部，以使发光芯片置放于该置放区时，藉由该置放区吸收发光芯片于运作时所产生的热源，由金属材质的吸热及散热效果，将热源由外露于开口处的置放区散去，使该发光二极管维持可运作的温度，不会因热量聚集产生过热现象而毁坏。

本实用新型发光二极管改良的另一目的，该发光二极管改良同样包含有：壳体、设于壳体中的支架、至少一发光芯片以及封装胶体，该支架设有一可供置放发光芯片的置放区，以及与置放区分离的电极区，其置放区于边侧形成向外延伸的凸出部，而该电极区于边侧形成向外延伸的支撑部，由该凸出部以及支撑部使置放区以及电极区由容置槽延伸至壳体外侧。

本实用新型的有益效果为：可以得到一种可增加壳体与支架间的定位效果，以及可提高果的发光二极管改良。

附图说明

图1为习有发光二极管的结构立体图；

图2为习有发光二极管的结构示意图；

图3为本实用新型中发光二极管的结构立体图；

图4为本实用新型中支架与发光芯片的平面示意图；

图5为本实用新型中发光二极管的另一结构立体图；

图6A、B为本实用新型中发光二极管的结构剖视图；

图7为本实用新型中支架与发光芯片的另一平面示意图；

图8为本实用新型中另一实施例支架与金属料带的结构立体图；

图9为本实用新型中发光二极管另一实施例的结构立体图。

【图号说明】

1    发光二极管  11    支架

111  承载部      12    发光芯片

13   金线        14    塑料壳体

15   接脚        2     发光二极管

21   壳体        211   容置槽