[实用新型]发光二极管改良无效
| 申请号： | 200620175141.8 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN201004468Y | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 苏文龙;谢祥政 | 申请（专利权）人： | 凯鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 改良 | ||
1、一种发光二极管改良，其特征在于，其至少包含有：
一壳体，其壳体中设有支架，而壳体并形成有可使支架外露的容置槽；
支架，该支架设有一可供置放发光芯片的置放区，以及与置放区分离的电极区，且该置放区形成有段差部；
至少一发光芯片，设于置放区上，并藉由导线与电极区形成电性连接；
封装胶体，设置于容置槽中。
2、如权利要求1所述的发光二极管改良，其特征在于，该置放区的厚度大于电极区。
3、如权利要求1所述的发光二极管改良，其特征在于，该置放区于边侧形成向外延伸的凸出部。
4、如权利要求1所述的发光二极管改良，其特征在于，该容置槽底部相对于置放区处形成有开口，使置放区底部外露于壳体底部。
5、如权利要求4所述的发光二极管改良，其特征在于，该置放区底部与壳体底部形成同一平面。
6、如权利要求4所述的发光二极管改良，其特征在于，该置放区底部略凸出于壳体底部。
7、如权利要求1所述的发光二极管改良，其特征在于，该段差部设于置放区底部。
8、一种发光二极管改良，其特征在于，其至少包含有：
一壳体，其壳体中设有支架，而壳体并形成有可使支架外露的容置槽；
支架，该支架设有一可供置放发光芯片的置放区，以及与置放区分离的电极区，该置放区与电极区由容置槽延伸至壳体外侧；
至少一发光芯片，设于置放区上，并藉由导线与电极区形成电性连接；
封装胶体，设置于容置槽中。
9、如权利要求8所述的发光二极管改良，其特征在于，该电极区为一组以上相互分离的正、负电极区，各正、负电极区于边侧形成向外延伸的支撑部，并藉由该支撑部延伸至壳体外侧。
10、如权利要求8所述的发光二极管改良，其特征在于，该置放区于边侧形成向外延伸的凸出部，并藉由该凸出部延伸至壳体外侧。
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