[实用新型]绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置无效
申请号: | 200620153410.0 | 申请日: | 2006-12-01 |
公开(公告)号: | CN200996044Y | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 刘东平;古建中;冯志庆 | 申请(专利权)人: | 大连民族学院光电子技术研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/513;C03C17/245 |
代理公司: | 大连科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 于忠晶 |
地址: | 116600辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 介质 表面 金刚石 薄膜 沉积 装置 | ||
1、绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置,其特征是:绝缘介质(1)为隔断的两个对称的真空室(6)上均装有排气口(7),真空室内分别装有高压电极(2)和地电极(3),绝缘介质置于高压电极和地电极之间,且与高压电板面接触,与地电极之间留有间隙,装有高压电极的真空室上的排气口上装有截止阀(7),装有地电极的真空室上开有入气孔(9)。
2、根据权利要求1所述的绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置,其特征是:真空室(6)与绝缘介质(1)之间装有密封圈(10)。
3、根据权利要求1或2所述的绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置,其特征是:绝缘介质(1)为玻璃、聚酯、石英中的一种。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的