[实用新型]一种低脉冲产生电路无效
| 申请号: | 200620016595.0 | 申请日: | 2006-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN201051240Y | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
| 发明(设计)人: | 刘鸿仁;吴东勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市赛格导航科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
| 代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭伟刚 |
| 地址: | 518019广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 脉冲 产生 电路 | ||
1.一种低脉冲产生电路,其中包括光电耦合器U1,连接到光电耦合器U1发光侧二极管正极(1)的外部控制信号线以及连接到光电耦合器U1吸收侧集电极(4)的CPU休眠控制引脚,其特征在于,
在所述外部控制信号线上串联有一个电容C1和一个电阻R1,再连接到光电耦合器U1发光侧二极管正极(1),同时在光电耦合器U1发光侧二极管正极(1)还并联有一个CPU的IO口控制信号线;
当CPU的IO口控制信号线为高电平状态时或者外部控制信号线为高电平状态且CPU的IO口控制信号线为悬空状态时,在光电耦合器U1发光侧二极管正极(1)产生一个高电平脉冲,同时在CPU休眠控制引脚产生一个低脉冲。
2.根据权利要求1所述的低脉冲产生电路,其特征在于,所述电容C1是充放电时间可调节的电容。
3.根据权利要求1或2所述的低脉冲产生电路,其特征在于,还包括分别连接在光电耦合器U1发光侧和吸收侧两端的去耦电容C2和C3,以及并联在光电耦合器U1吸收侧集电极(4)的上拉电阻R3。
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