[实用新型]功率场效应晶体管静态参数的测试装置无效
申请号: | 200620016251.X | 申请日: | 2006-12-07 |
公开(公告)号: | CN200976035Y | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 徐文辉;陈宇;刘林;林昌伟 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R19/00;G01R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518119广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 场效应 晶体管 静态 参数 测试 装置 | ||
1、一种功率场效应晶体管静态参数的测试装置,具有数据处理单元,数据采集单元,功率场效应晶体管测试夹具,其特征在于:还具有一测试装置,该测试装置通过功率场效应晶体管测试夹具连接被检测的功率场效应晶体管;
在数据处理单元向数据采集单元发送控制指令后,数据采集单元发出数字和模拟信号控制测试装置测试晶体管的静态参数,数字信号控制测试装置选通相应的测试电路,模拟信号驱动测试装置中的电压和电流发生器,给被测功率场效应晶体管加载电流和电压;数据采集装置将测试结果输出到数据处理单元。
2、如权利要求1所述的功率场效应晶体管静态参数的测试装置,其特征在于:所述测试装置包括继电器网络,电流发生器,电压发生器,以及开启电压(Vt)测试电路,漏源击穿电压(BVds)测试电路,漏源漏电流(Idss)测试电路,寄生二极管正向压降(Vsd)测试电路,通态电阻(Ron)测试电路,门极击穿电压(BVgs)测试电路,门极漏电流(Idss)测试电路中的至少两种或两种以上,测试装置通过继电器网络选择上述测试电路的连接或断开。
3、如权利要求2所述的功率场效应晶体管静态参数的测试装置,其特征在于:所述测试装置还进一步包括保护电路和报警电路。
4、如权利要求1或2或3所述的功率场效应晶体管静态参数的测试装置,其特征在于:所述数据处理装置为PC机,数据采集装置为数据采集卡,数据处理装置装设在PC机主板的PCI插槽中。
5、如权利要求4所述的功率场效应晶体管静态参数的测试装置,其特征在于:所述PC机能分析处理测试结果,并显示和保存结果。
6、如权利要求5所述的功率场效应晶体管静态参数的测试装置,其特征在于:所述测试结果包括开启电压(Vt),漏源击穿电压(BVds),漏源漏电流(Idss),寄生二极管正向压降(Vsd),通态电阻(Ron),门极击穿电压(BVgs),门极漏电流(Idss)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200620016251.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分级绝缘特高压自耦变压器
- 下一篇:一种分体式浴霸