[实用新型]半导体分离器件外壳封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体分立器件方形功率金属外壳封装结构，尤其涉及一种应用于替代半导体分立器件大功率B2-01B、B2-01C型(SJ2849-88、SJ2852-88标准)金属外壳封装结构。

背景技术

目前，半导体分立器件大功率金属外壳封装结构为B2-01B-Z、B2-01C-Z型(SJ2849-88、SJ2852-88标准)。其外壳由两部分组成，底座外形为菱形结构，帽体为圆形结构。底座与帽体封装时不便于批量封装生产，只能单体一只一只封装；底座与帽体封装后在线路板上安装时占用面积较大，散热性不均匀，不便于在线路板上设计安装位置。诸城市电子封装有限责任公司为了解决这些金属外壳封装结构先天性不足，参考国外一种类似方形金属外壳封装产品进行设计。国外这种类似方形金属外壳封装产品腔体外观呈倒梯形，为一次冲压成型后与底板烧结而成。由于这种外壳封装产品底面与底板接触面积小，又有冲制底面，造成使用过程中热量的传导产生一定的阻滞，而影响芯片工作过程产生热量的传导。因为外壳设计先天性原因从而限制了产品的功率耗散，而致器件失效和性能恶化其中的一个主要原因是输出面因过热而烧毁芯片，芯片寿命受到工作温度的严重影响。

发明内容

本实用新型目的在于提供一种减小器件外壳占用面积，减少体积，提高散热均匀性，提高外壳耗散功率、便于批量封装生产半导体分立器件方形功率金属外壳的结构。

为了实现本实用新型的目的，本实用新型在底板上设有框架，在框架的一侧壁上设有伸入到框架内部并固定在框架上的引线，在框架的空腔中设有与底板连接的金属片或陶瓷片。

所述框架的宽度与底板宽度相等，长度小于底板，其中框架的一端与底板一端齐平。

所述框架空腔中的陶瓷片，在其上表面可设置1或多片金属片。

该组合结构经过机械加工成型一底板、一框架、一陶瓷片、一组钼片(一片至二片钼片)、一组引线(五只引线)后进行高温烧结，高温烧结过程通过控制温度使其达到符合和优于B2-01B、B2-01C(SJ2849-88、SJ2852-88标准)性能、指标的半导体分立器件方形功率金属外壳的结构，达到了减小器件外壳占用面积，减少体积，提高散热均匀性，提高外壳耗散功率、便于批量封装生产半导体分立器件方形功率金属外壳的结构。

附图说明

现结合附图对本实用新型作进一步的说明

图1为本实用新型主剖视图

图2为本实用新型俯视图

图3位本实用新型左视图

图中1、底板  2、框架  3、引线  4、陶瓷片  5、钼片6、圆形孔

具体实施方式

如图1、图2、图3所示，本实用新型在底板1上设有框架2，在框架2的一侧壁上设有伸入到框架2内部并固定在框架上的引线3，在框架2的空腔中设有与底板1连接的陶瓷片4；所述框架2，设有引线一端侧壁的壁厚大于其它端侧壁的壁厚。所述框架2的宽度与底板1宽度相等，长度小于底板，其中框架2的一端与底板一端齐平。所述框架2空腔中的陶瓷片4，在其上表面可设置1或2片钼片5。

该组合结构经过机械加工成型一铜或铁镍合金底板1、一铁镍合金框架2、一陶瓷片4、一组钼片5(一片至二片钼片)、一组铁镍钴合金或铁镍合金引线3(五只引线)后进行二次高温烧结。一次高温烧结将引线3烧结在金属框架2上，二次高温烧结将一次烧结完成的框架2与底板1、陶瓷片4和钼片5烧结在一起，烧结过程通过控制温度使其达到符合和优于B2-01B、B2-01C(SJ2849-88、SJ2852-88标准)性能、指标的半导体分立器件方形功率金属外壳封装结构。组合结构中框架烧结前称框架当烧结在底板上后称为腔体，组合结构的组件烧结在一起成一体后称半导体分立器件方形功率金属外壳封装结构。

TO-253型金属外壳封装结构有两种形式金属外壳。一种为腔体内只烧结陶瓷片没有钼片，另一种为腔体内既烧结陶瓷片又烧结钼片。

TO-253型金属外壳外观尺寸20.8×17.5×6.1～6.5mm，腔体外观尺寸17.5×13.8mm，腔体烧结引线的端面厚度为1.8mm，不烧结引线的端面厚度为1.2mm。

TO-253型金属外壳设计腔体上有5只引线。5只引线在框架上引线出头；引线出头有两种形式，一种接地钼片和一种不接地钼片。

TO-253型金属外壳外观设计封装用盖板一种为与框架相等宽的冲压平面金属盖板，一种为经冲压成凸台的金属盖板。