[发明专利]浮置栅极的制造方法及存储器的制造方法

权利要求书

1.一种浮置栅极的制造方法，包括：

提供基底，该基底中已形成多个隔离结构，该隔离结构突出于该基底表面，且该隔离结构之间的该基底上已依序形成有隧穿介电层、第一导体层与第一掩模层；

移除该第一掩模层，以暴露出该第一导体层；

于该基底上形成第二掩模层，该第二掩模层具有多个开口位于该隔离结构之间，且暴露出该第一导体层；

于该基底上形成多个第二导体层，以填满该开口；以及

移除该第二掩模层。

2.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该隧穿介电层的材质包括氧化硅。

3.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该第一掩模层的材质包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该第二掩模层的材质包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中于该基底上形成该第二掩模层的方法包括：

于该基底上形成材料层；以及

图案化该材料层以形成具有该开口的该第二掩模层。

6.如权利要求5所述的浮置栅极的制造方法，其中该材料层的形成方法包括化学气相沉积法。

7.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该第二导体层的材质包括掺杂多晶硅。

8.如权利要求5所述的浮置栅极的制造方法，其中于该基底上形成该第二导体层的方法包括：

于该基底上形成导体材料层，且该导体材料层填满该开口；以及

移除该开口之外的部分该导体材料层。

9.一种存储器的制造方法，包括：

提供基底；

于该基底上依序形成隧穿介电层、第一导体层与第一掩模层；

图案化该第一掩模层、该第一导体层、该隧穿介电层与该基底，而于该基底中形成多个沟槽；

形成多个隔离结构，以填满该沟槽；

移除该第一掩模层以暴露出该第一导体层；

于该基底上形成第二掩模层，该第二掩模层具有多个开口位于该隔离结构之间，并暴露出第一导体层；

于该基底上形成多个第二导体层以填满该开口；

移除该第二掩模层；

于该基底上形成一栅间介电层；

于该栅间介电层上形成第三导体层；以及

图案化该第三导体层以形成控制栅极，并图案化该第二导体层与该第一导体层以形成多个浮置栅极。

10.如权利要求9所述的存储器的制造方法，其中该隧穿介电层的材质包括氧化硅。

11.如权利要求9所述的存储器的制造方法，其中该第一掩模层于基底上依序包括氮化硅、氧化层、非结晶碳层、氮氧化硅/氧化硅层以及底部抗反射涂布层。

12.如权利要求9所述的存储器的制造方法，其中图案化该第一掩模层、该第一导体层、该隧穿介电层与该基底，而于该基底中形成该沟槽的步骤包括：

于该第一掩模层上形成图案化光刻胶层；

以该图案化光刻胶层为掩模，移除部份该底部抗反射涂布层、该氮氧化硅/氧化硅层以及该非结晶碳层，直到暴露出该氧化层，以形成图案化的该底部抗反射涂布层、该氮氧化硅/氧化硅层以及该非结晶碳层；

以图案化的该底部抗反射涂布层、该氮氧化硅/氧化硅层以及该非结晶碳层为掩模，移除部分该氧化层、该氮化硅层、该第一导体层以及该隧穿介电层，直到暴露出该基底，以形成图案化的该氧化层、该氮化硅层、该第一导体层以及该隧穿介电层；以及

以图案化的该氧化层、该氮化硅层、该第一导体层以及该隧穿介电层为掩模，移除部分该基底，以形成该沟槽。

13.如权利要求9所述的存储器的制造方法，其中该隔离结构的材质包括氧化硅。

14.如权利要求9所述的存储器的制造方法，其中形成该隔离结构的方法包括：

于该基底上形成绝缘材料层，该绝缘材料层填满该沟槽；以及

移除沟槽以外的部分该绝缘材料层。

15.如权利要求9所述的存储器的制造方法，其中该第二掩模层的材质包括氧化硅。