[发明专利]印刷线路基板制造用PSAP方法有效
申请号: | 200610171126.0 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101102647A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 白泰逸 | 申请(专利权)人: | 株式会社第4纪韩国 |
主分类号: | H05K3/38 | 分类号: | H05K3/38;H05K3/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;谢丽娜 |
地址: | 韩国仁*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 印刷 线路 制造 psap 方法 | ||
技术领域
本发明涉及印刷线路基板制造用PSAP(Plasma Semi Additive Process)方法,具体涉及为制造印刷线路基板,在执行SAP(Semi AdditiveProcess)工序时利用等离子体进行洗净、蚀刻(etching)及表面改质,从而提高微细线路图形(pattern)和基础(base)基板的贴紧力,制造更高品位的印刷线路基板的印刷线路基板制造用PSAP方法。
背景技术
一般而言,印刷线路基板(PCB)是指其上安装(mount)集成电路、电阻器或开关(switch)等电部品的薄板,是在绝缘体环氧(epoxy)或聚酰亚胺等树脂制成的基板上粘贴铜箔(Copper Foil)之后,接着在必须留下铜箔的线路布线上印刷抗蚀剂(resist),在能溶化铜的蚀刻液中放入印刷后的基板,腐蚀掉不带抗蚀剂(resist)的部分,此后除去抗蚀剂,以希望的形态留下铜箔,从而在必要部位实装部品而制成的基板。
这样的印刷线路基板根据各种电子设备、电子通信设备、手机、笔记本(note book)PC等用途,制成多种形态,制造方式也是多样化的。
例如,最近,对铜表面进行蚀刻而形成线路图形的通常方式蜕变成以下方式,即在铜表面上粘贴DFR(Dry Film Resister),对其进行印刷、曝光、显影,制成图形壁(Pattern Wall)之后,在图形壁之间实施铜镀敷而制成线路,之后除去由DFR形成的图形壁,在此状态下对基板的铜厚度的程度整体进行蚀刻,在表面上只留下铜线路的方式,通过这种方式的SAP(Semi Additive Process)工序来制造。
然而,这样的SAP工序方式是在铜表面上以DFR进行积层作业时使其与表面的贴紧力增大,之后制成微细的DFR薄膜,之后也要确保DFR图形贴紧力。还有,对干膜,即DFR进行曝光显影,制成DFR图形壁之后,会像图1那样,残渣以线(line)形态很长地留下,这样的显影不良率很高,在DFR图形壁之间进行铜镀敷时,在图形之间还会由于异质物、其他镀敷的干扰作用或DFR图形材质自身的疏水性等而造成镀敷的贴紧性部分地下降,这是其问题。
发明内容
发明打算解决的技术课题
本发明是为把握、解决上述现有技术存在的问题点而新提出的,其主要目的在于提供一种在通过SAP工序来制造印刷线路基板时,在执行主要工序前,利用真空或大气压等离子体进行等离子体处理,从而进行基板的表面改质,并且彻底除去作为工序中产生的异质物的浮渣,在积层作业时提高DFR的贴紧性,增大DFR图形壁贴紧力,减少作为后续工序的铜镀敷的不良,在铜镀敷之后,除去DFR图形壁,然后在作为最终工序的铜蚀刻时均匀流畅地进行铜蚀刻,能制作高品位的印刷线路基板的印刷线路基板制造用PSAP方法。
用于解决课题的方案
本发明为解决上述技术课题,提供一种印刷线路基板制造用PSAP方法,其特征在于,在用于印刷线路基板制造的通常的SAP工序中包含以下阶段而构成:用含铜的导电性高的膜在PI或绝缘基板的两表面、一面上进行涂覆(coating)或浇铸(casting),在该表面上积层(laminate)DFR之前,对该表面进行等离子体(plasma)处理,通过微细异质物除去和表面改质使DFR的贴紧力提高的第1等离子体处理阶段;在上述阶段之后形成DFR图形,对该图形及图形壁之间的表面进行等离子体处理,进行除渣和表面改质的第2等离子体处理阶段;还是在等离子体中对DFR图形均质地进行蚀刻,减小宽度,把DFR图形之间扩大之后,在经等离子体处理后的图形壁之间实施铜镀敷,形成线路,通过第1蚀刻,在基板上只留下铜,除去图形壁之后,对露出的基板的表面及铜镀敷面进行等离子体处理,进行除渣及表面改质的第3等离子体处理阶段;以及对经等离子体处理后的基板进行最终蚀刻,完成电线路的第2蚀刻阶段。
而且,在上述第1、2、3等离子体处理阶段中,其特征在于,等离子体可按如下条件由等离子体产生器来产生、处理:输出用量为1~50kw;频率为1KHz~2.54GHz的高频;电压在真空等离子体的场合为30~1000V,在大气压等离子体的场合为5Kv~20Kv;氛围气气体可以是从空气、O2、N2、CF4、Ar、H2、NF3中选择的任意一种或两种以上的组合,处理时间为1~60分钟,处理温度为30~100℃。
发明效果
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