[发明专利]显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示装置

说明书

技术领域

本公开内容涉及显示基板、该显示基板的制造方法以及具有该显示基板的显示装置。更具体地说，本发明涉及能够提高孔径比的显示基板。

背景技术

一般而言，液晶显示(LCD)装置包括：显示基板；面向显示基板的相对基板；以及液晶层，液晶层被置于显示基板和相对基板之间。显示基板包括：多条栅极线；与栅极线交叉的多条源极线；多个开关元件，多个开关元件电连接至栅极线和数据线；以及多个像素电极，多个像素电极电连接至开关元件。每一个开关元件包括：栅电极，栅电极延伸自栅极线；半导体层，半导体层与栅极线绝缘并具有沟道部分和掺杂部分；源电极，源电极延伸自源极线并电连接至掺杂部分；以及漏电极，漏电极与源电极隔开并电连接至掺杂部分。

近来，LCD装置被应用于如移动电话、可携式摄像机、数码相机、音频播放器等之类的装置。LCD装置应具有高分辨率和高亮度、以显示各种内容。例如，应用于移动装置的小型LCD装置增大了功耗以增大背光组件的亮度，以便具有高分辨率和高亮度。然而，当移动装置使用便携式电源、如电池时，增大功耗的方法是受限的。

发明内容

本发明的示例性实施例提供一种能够提高孔径比的显示基板、上述显示基板的制造方法以及具有上述显示基板的显示装置。

在本发明的示例性实施例中，显示基板包括多个像素。所述像素的每一个包括开关元件、存储电容器、存储线以及像素电极。所述开关元件包括：多晶硅层，所述多晶硅层具有沟道部分和掺杂部分；栅电极；源电极和漏电极。所述栅电极形成在所述沟道部分上，并具有下层和上层。所述源电极和所述漏电极与所述掺杂部分接触。所述存储电容器包括：第一存储电极，所述第一存储电极由基本上与所述多晶硅层相同的层形成；和第二存储电极，所述第二存储电极由基本上与所述栅电极的下层相同的层形成。所述存储线由基本上与所述栅电极的下层和上层相同的层形成，并电连接至所述第二存储电极。所述像素电极电连接至所述开关元件。

在本发明的示例性实施例中，提供了一种显示基板的制造方法。多晶硅层形成在基板(base substrate)上。所述多晶硅层首先被掺杂以杂质、以形成开关元件的沟道部分和第一存储电极。栅极金属层形成在具有所述沟道部分和所述第一存储电极的基板上，其中栅极金属层具有包括透明导电材料的下层和包括金属的上层。栅极金属层被图案化、以形成栅极金属图案和第二存储电极，其中，第二存储电极由所述栅极金属层的下层形成并与所述第一存储电极重叠。所述多晶硅层接着被掺杂以杂质、以形成所述开关元件的掺杂部分。源极金属层形成在具有所述掺杂部分的所述基板上，并被图案化以形成源极金属图案。电连接至所述开关元件的像素电极被形成。

在本发明的示例性实施例中，一种显示装置包括：显示基板，所述显示基板具有多个像素；相对基板；和液晶层，所述液晶层被置于所述显示基板和所述相对基板之间。所述相对基板面向所述显示基板，并与所述显示基板结合。所述像素中的每一个包括开关元件、存储电容器、存储线以及像素电极。所述开关元件包括：多晶硅层，所述多晶硅层具有沟道部分和掺杂部分；栅电极；源电极和漏电极。所述栅电极形成在所述沟道部分上，并具有下层和上层。所述源电极和所述漏电极与所述掺杂部分接触。所述存储电容器包括：第一存储电极，所述第一存储电极由基本上与所述多晶硅层相同的层形成；和第二存储电极，所述第二存储电极由基本上与所述栅电极的下层相同的层形成。所述存储线由基本上与所述栅电极的下层和上层相同的层形成，并电连接至所述第二存储电极。所述像素电极电连接至所述开关元件。

根据本发明的示例性实施例，所述显示装置的孔径比得到了提高，从而改进了显示质量。

附图说明

从随后结合附图的叙述中可以更详细地了解本发明的示例性实施例，在附图中：

图1是平面视图，图示出根据本发明示例性实施例所述的显示装置；

图2是沿图1中的线I-I’取得的横剖视图；

图3至12是横剖视图，图示出根据本发明的示例性实施例所述、图1中所示的显示基板的制造方法。

图13是示出根据本发明的示例性实施例所述的显示装置的多晶硅层的透射率的曲线图；以及

图14是示出根据本发明的示例性实施例所述的显示装置的存储电容器的电容的曲线图。

具体实施方式

下面参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以多种不同形式实现，并不应被解释为仅限于这里所阐述的示例性实施例。

图1是平面视图，图示出根据本发明示例性实施例所述的显示装置。图2是沿图1中的线I-I’取得的横剖视图。