[发明专利]显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括：

多个开关元件，所述开关元件中的每一个包括：多晶硅层，所述多晶硅层具有沟道部分和掺杂部分；栅电极，所述栅电极形成在所述沟道部分上，并包括下层和上层，所述栅电极的下层包括透明导电材料；以及源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述掺杂部分接触；

存储线，所述存储线包括下层和上层，所述存储线的下层和上层分别由与所述栅电极的下层和上层相同的层形成；

多个存储电容器，所述存储电容器中的每一个包括：第一存储电极，所述第一存储电极由与所述多晶硅层相同的层形成；和第二存储电极，所述第二存储电极由与所述栅电极的透明导电的下层相同的层形成，所述第二存储电极从所述存储线的下层延伸，其中第一存储电极和第二存储电极是透明的；以及

多个像素电极，所述像素电极中的每一个电连接至所述开关元件中的每一个。

2.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一存储电极掺杂有杂质，其杂质掺杂浓度低于所述掺杂部分掺杂杂质的浓度。

3.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多晶硅层的厚度为至

4.一种显示基板，包括：

具有掺杂部分和沟道部分和第一存储电极的多晶硅层；

栅电极，所述栅电极形成在所述沟道部分上，并具有包括透明导电材料的下层和包括金属材料的上层；

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述掺杂部分接触；

存储线，所述存储线包括下层和上层，所述存储线的下层和上层分别由与所述栅电极的下层和上层相同的层形成；

存储电容器，所述存储电容器包括：第一存储电极，所述第一存储电极由与所述多晶硅层相同的层形成；以及第二存储电极，所述第二存储电极与所述第一存储电极重叠，并由与所述栅电极的透明导电的下层相同的层形成，所述第二存储电极从所述存储线的下层延伸，其中第一存储电极和第二存储电极是透明的；以及

像素电极，所述像素电极电连接至所述漏电极。

5.如权利要求4所述的显示基板，其中，所述多晶硅层通过顺序横向固化工艺而被结晶。

6.如权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一存储电极掺杂有杂质，其杂质掺杂浓度低于所述掺杂部分掺杂杂质的浓度。

7.一种显示基板的制造方法，所述方法包括步骤：

在基板上形成多晶硅层；

用杂质掺杂所述多晶硅层、以形成沟道部分和第一存储电极；

在具有所述沟道部分和所述第一存储电极的所述基板上形成栅极金属层，所述栅极金属层具有包括透明导电材料的下层和包括金属材料的上层；

图案化所述栅极金属层以形成栅极金属图案和第二存储电极，所述栅极金属图案包括栅电极和存储线，其中，所述栅电极包括：下层，所述栅电极的下层包括透明导电材料；以及上层，所述栅电极的上层包括金属材料，其中，所述存储线包括：下层，所述存储线的下层包括透明导电材料；以及上层，所述存储线的上层包括金属材料，并且其中，所述第二存储电极从所述存储线的下层延伸，并且第一存储电极和第二存储电极是透明的；

以杂质掺杂所述多晶硅层以形成掺杂部分；

在具有所述掺杂部分的所述基板上形成源极金属层，并图案化所述源极金属层以形成源极金属图案；以及

形成像素电极，所述像素电极电连接至所述源极金属图案。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一存储电极掺杂有杂质，其杂质掺杂浓度低于所述掺杂部分掺杂杂质的浓度。

9.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述多晶硅层包括步骤：

在所述基板上形成非晶硅层，所述非晶硅层具有第一厚度；

通过顺序横向固化工艺结晶所述非晶硅层以形成所述多晶硅层；以及蚀刻所述多晶硅层的一部分，从而使所述多晶硅层具有第二厚度。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一厚度为至

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二厚度为至

12.如权利要求7所述的方法，其中，所述栅极金属图案包括：栅电极；栅极线，所述栅极线电连接至所述栅电极；以及存储线，所述存储线电连接至所述第二存储电极。