[发明专利]非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，包括：

提供基底，该基底中已形成有第一导电型井区；

在该基底中形成多个元件隔离结构；

在该基底上形成多个虚拟存储单元行，各所述虚拟存储单元行包括第二导电型源极区和第二导电型漏极区；

在该基底上形成第一层间绝缘层；

在该第一层间绝缘层中形成开口，该开口至少暴露出所述虚拟存储单元行的所述第二导电型漏极区以及所述第二导电型漏极区之间的该元件隔离结构；

移除该开口所暴露的部分该元件隔离结构；

在该开口所暴露的该基底中形成第一导电型延伸掺杂区；

在该开口中形成井区延伸导体层，该井区延伸导体层经由该第一导电型延伸掺杂区电连接该第一导电型井区；以及

在该基底上形成多条虚拟位线，所述虚拟位线电连接该井区延伸导体层。

2.根据权利要求1的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中该井区延伸导体层的形成方法包括：

在该基底上形成第一导体材料层，以填满该开口；以及

移除该第一层间绝缘层上的该第一导体材料层，以在该开口中形成该井区延伸导体层。

3.根据权利要求2的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中该第一导体材料层的材质包括钨、铜或铝。

4.根据权利要求2的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中移除该第一层间绝缘层上的该第一导体材料层的方法包括进行化学机械研磨工艺。

5.根据权利要求2的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中在该第一层间绝缘层中形成该开口之后，及在该开口中形成该井区延伸导体层之前还包括形成粘着层/阻障层。

6.根据权利要求5的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中该粘着层/阻障层的材质为选自钽、氮化钽、钛和氮化钛所组成的族群的其中之一。

7.根据权利要求1的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，在形成该第一导电型延伸掺杂区之后，还包括进行快速热退火工艺。

8.根据权利要求1的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，还包括在该基底上电连接所述虚拟位线和该井区延伸导体层的多个插塞。

9.根据权利要求8的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中所述插塞的形成方法包括：

在该基底上形成第二层间绝缘层：

图案化该第二层间绝缘层和该第一层间绝缘层以形成暴露该井区延伸导体层的多个插塞开口；

在该第二层间绝缘层上形成第二导体材料层，并填满所述插塞开口；以及

移除该第二层间绝缘层上的部分该第二导体材料层。

10.根据权利要求9的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，其中该第二导体材料层的材料包括钨、铜、铝或掺杂多晶硅。

11.根据权利要求1的非易失性存储器的井区延伸结构的制造方法，在该第一层间绝缘层中形成该开口的方法包括：

在该第一层间绝缘层上形成图案化的掩模层；

以该掩模层为掩模，移除部分该第一层间绝缘层以形成该开口；以及

移除该掩模层。