[发明专利]组合存储单元

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储单元，特别是涉及一种具有随机存取存储模式与只读存储模式的组合存储单元。

背景技术

随机存取内存(random access memory)与只读存储器(read only memory)是电子系统中经常使用到的半导体内存(semiconductor memory)，在传统的芯片设计上，通常会以不同的区块来设置随机存取内存与只读存储器。

美国专利案号US 7,023,744揭露了一种可编程逻辑组件(programmablelogic device；PLD)，其为一种可再组态的随机存取存储-只读存储单元(reconfigurable SRAM-ROM cell)，如图1所示，该组合存储单元(combomemory cell)包括一静态随机存取存储单元与一只读存储单元，静态随机存取存储单元由交互耦接的反相器320、325以及一通闸(pass gate)330所组成，该只读存储单元由连结点340与晶体管335所组成，晶体管335的栅极为一模式切换信号MC所控制，当MC为低电平时，晶体管335为关闭状态，此组合存储单元与一普通的静态随机存取存储单元无异，当MC为高电平时，晶体管335为导通状态，因此交互耦接的反相器320、325的输入/输出节点CB/CBb之一会通过连结点340与晶体管335被拉到接地电位，此时此组合存储单元处于只读存储模式，同时交互耦接的反相器320、325的输入/输出节点CB/CBb何者为1也决定了此组合存储单元的存储状态。

在美国专利案号US 7,023,744所揭露的组合存储单元中，只读存储码(ROM code)的编程是直接编程于交互耦接的反相器320、325的输入/输出节点CB/CBb，同时相较于传统的静态随机存取存储单元，其多了一个额外的晶体管335。

发明内容

依据本发明的一实施例的一种组合存储单元有一随机存取存储模式与一只读存储模式，并有第一与第二逻辑状态，其中，第一逻辑状态的电平高于第二逻辑状态的电平，该存储单元包括一静态随机存取存储单元以及一掩膜式只读存储编码器(mask read only memory code；mask ROM code)，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括一第一P型金属氧化物半导体晶体管与一第一N型金属氧化物半导体晶体管，且该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极共同连接至一第一输入节点，该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极共同连接至一第一输出节点，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，且该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极共同连接至一第二输入节点，该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极共同连接至一第二输出节点，其中，该第一输入节点与该第二输出节点耦接，且该第一输出节点与该第二输入节点耦接，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为该随机存取存储模式或该只读存储模式。