[发明专利]静电放电保护电路

权利要求书

1.一种静电放电保护电路，包含：

一静电放电保护元件，连接到一连接焊点；

一传输选通电路，连接到该连接焊点与一输出端；

一N型金属氧化物半导体晶体管，连接至该传输选通电路以及一第二电压电平，用以依据该第二电压电平提供一第一偏压到该传输选通电路；

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，连接至该传输选通电路以及一第一电压电平，用以依据该第一电压电平提供一第二偏压到该传输选通电路；

一延迟电路，连接至该静电放电保护元件，用以决定该传输选通电路的开通和关断时间；

一第一反相逻辑电路，连接到该延迟电路、该传输选通电路以及该N型金属氧化物半导体晶体管，用以依据该延迟电路的输出而产生一第一控制信号；以及

一第二反相逻辑电路，连接到该第一反相逻辑电路、该P型金属氧化物半导体晶体管以及该传输选通电路，用以依据该第一反相逻辑电路的输出而产生一第二控制信号，其中该传输选通电路依据该第一、第二控制信号而选择性地开通或关断。

2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该传输选通电路包含：

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，其栅极连接到该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极与漏极分别连接到该第二电压电平与该第二N型金属氧化物半导体晶体管的P阱或基底；以及

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，并联于该第二N型金属氧化物半导体晶体管，且其栅极连接到该第一P型金属氧化物半导体的栅极，其中该第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极与漏极分别连接到该第一电压电平与该第二P型金属氧化物半导体晶体管的N阱。

3.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该静电放电保护元件包含：

一第一整流元件，连接到该延迟电路、该传输选通电路以及该连接焊点之间；以及

一第二整流元件，连接到该第一整流元件以及该第二电压电平。

4.如权利要求3所述的静电放电保护电路，其中该第一整流元件或该第二整流元件为二极管或金属氧化物半导体晶体管。

5.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该延迟电路包含：

一电容，连接到该第一电压电平以及该静电放电保护元件；以及

一电阻，连接到该第一反相逻辑电路以及该电容。

6.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该第一反相逻辑电路或该第二反相逻辑电路为反相器。

7.一种静电放电保护电路，用来保护一内部电路；该静电放电保护电路包含：

一传输选通电路，连接在一连接焊点与该内部电路之间；该传输选通电路具有一第一受控端与一第二受控端，而该传输选通电路根据该第一受控端与该第二受控端的信号来控制该连接焊点与该内部电路间是否导通；

一延迟电路，其可检测静电放电事件是否发生并根据检测结果提供一检测信号；

一第一逻辑电路，连接到该延迟电路与该第一受控端之间，其可依据该延迟电路的检测信号而向该第一受控端提供一第一控制信号；以及

一第二逻辑电路，其可依据该检测信号而向该第二受控端提供一第二控制信号。

8.如权利要求7的静电放电保护电路，其中该第二逻辑电路连接到该第一逻辑电路与该第二受控端之间，以根据该第一控制信号而向该第二受控端提供该第二控制信号。

9.如权利要求7的静电放电保护电路，其中该传输选通电路还包含有一第一偏压端与一第二偏压端，而该静电放电保护电路还包含有：

一第一半导体单元，连接到该第一偏压端与一第二电源线之间，该第一半导体单元可依据该第一控制信号来控制该第一偏压端与该第二电源线间是否导通；以及

一第二半导体单元，连接到该第二偏压端与一第一电源线之间，该第二半导体单元可依据该第二控制信号来控制该第二偏压端与该第一电源线是否导通。

10.如权利要求9的静电放电保护电路，其中该传输选通电路包含有两金属氧化物半导体晶体管，而该第一及第二偏压端分别为该两金属氧化物半导体晶体管的基底。