[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 200610162986.8 | 申请日: | 2006-11-30 |
公开(公告)号: | CN101075634A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 徐诚模 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙海龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
平板显示装置中的有机发光装置是通过电激励有机化合物而发光的自发光显示器件。因为有机发光装置不需要LCD中使用的背光,所以能够减轻重量和减小厚度并且能够简化它的制造工艺。此外,有机发光装置可以在较低的温度下制得,具有高达1ms或更短的响应速度,并且具有诸如低功耗、宽视角和高对比度之类的特点。
有机发光装置包括介于阳极和阴极之间的有机发射层,有机发光装置通过在有机光发射层内将从阳极接收到的空穴和从阴极接收到的电子结合起来而形成激发子(电子-空穴对)并且借助激发子恢复到地电位时产生的能量而发光。
有机发光装置按照从有机发射层产生的光的发射方向分为顶部发射型和底部发射型。在包括像素驱动电路的有机发光装置是底部发射型的情况下,孔径比会受到严重限制,这是因为像素驱动电路占用了很宽的基板区域。由此,为了提高孔径比,提出了顶部发射型有机发光装置。
图1是现有技术发光装置的横截面图。参照图1,缓冲层105位于基板100上,栅极110位于缓冲层105上。第一绝缘层(栅绝缘层)115位于栅极110上,并且非晶硅层120位于第一绝缘层115上,使得非晶硅层120的预定区域可以对应于栅极110。
限定出源极区域和漏极区域的欧姆层125a和125b位于非晶硅层120的该预定区域上。欧姆层125a和125b可以包括注入了掺杂离子的非晶硅。
源极130a和漏极130b位于欧姆层125a和125b上,并且包括用于露出漏极130b的一部分的通孔145的第二绝缘层140位于包括源极130a和漏极130b的基板上。
经由通孔145与漏极130b电连接的第一电极150位于第二绝缘层140上。第一电极150可以是阳极或阴极。当第一电极150是阳极时,第一电极150可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铈氧化物(ICO)或锌氧化物(ZnO)这样的透明导电层,而当第一电极150是阴极时,第一电极150可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)或者它们的合金。
包括用于露出第一电极150的一部分的开口165的第四绝缘层160位于包括第一电极150的基板上。有机发射层170位于开口165之内,并且第二电极180位于包括有机发射层170的基板上。
至少需要六次掩模工艺才能制造出具有上述结构的有机发光装置。就是说,通过叠置由预定材料制成的层,然后使用掩模对这些层进行蚀刻,来形成栅极、非晶硅层和欧姆层、源极和漏极、通孔、第一电极和开口。
然而,工艺所需的掩模数量越多,制造成本就越高,并且工艺时间就会越长,由此必须要减少工艺时间。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够减少工艺时间和制造成本的发光装置及其制造方法。
一方面,本发明提供了一种发光装置,该发光装置包括:基板;位于基板上的栅极;位于包括栅极的基板上的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的非晶硅层,使得非晶硅层的预定区域对应于栅极;位于非晶硅层的预定区域上的欧姆层,所述欧姆层限定出源极区域和漏极区域;与欧姆层中的任何一个电连接的源极或漏极,和与欧姆层中的另一个电连接的阴极;位于包括源极或漏极和阴极的基板上的第二绝缘层,第二绝缘层包括露出阴极的一部分的开口;位于开口之内的发射层;和位于包括发射层的基板上的阳极。
源极或漏极和阴极可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)和它们的合金。
另一方面,本发明提供了一种制造发光装置的方法,该方法包括:制备基板;使用第一掩模在基板上形成栅极;将第一绝缘层叠置在包括栅极的基板上;将非晶硅层和欧姆层叠置在第一绝缘层上;使用第二掩模对非晶硅层和欧姆层进行构图;将金属层叠置在包括经过构图的欧姆层的基板上;通过使用第三掩模对欧姆层和金属层的一部分进行蚀刻,限定出源极区域和漏极区域,并且形成与源极区域和漏极区域中的任意一个电连接的源极或漏极和与源极区域和漏极区域中的另一个电连接的阴极;将第二绝缘层叠置在包括源极或漏极和阴极的基板上;通过使用第四掩模对第二绝缘层进行蚀刻,形成用于露出阴极的一部分的开口;在开口内形成发射层;和在包括发射层的基板上形成阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的