[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，该发光装置包括：

基板；

位于所述基板上的栅极；

位于包括所述栅极的所述基板上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的非晶硅层，所述非晶硅层的预定区域对应于所述栅极；

位于所述非晶硅层的预定区域上的欧姆层，所述欧姆层限定出源极区域和漏极区域；

与所述欧姆层限定出的所述源极区域和所述漏极区域中的一个电连接的源极或漏极，和与所述欧姆层限定出的所述源极区域和所述漏极区域中的另一个电连接的阴极；

位于包括所述源极或漏极和所述阴极的所述基板上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括暴露出所述阴极的一部分的开口；

位于所述开口之内的发射层；和

位于包括所述发射层的所述基板上的阳极，

其中所述源极或漏极是使用与所述阴极的材料同样的材料同时形成的，所述阴极也执行所述源极或漏极的功能。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述源极或漏极和所述阴极包括从包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)和它们的合金的组中选取的至少一种。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述阳极包括从包括ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、ICO(铟铈氧化物)和ZnO(锌氧化物)的组中选取的至少一种。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述欧姆层包括注入了杂质离子的非晶硅层。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述杂质离子是p型或n型杂质离子。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，在所述阴极和所述发射层之间插入有电子注入层和电子传递层中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，在所述阳极和所述发射层之间插入有空穴注入层和空穴传递层中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发射层包括有机材料。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述非晶硅层和所述欧姆层是与所述阴极同时构图的。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二绝缘层包括有机层。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述有机层包括从包括聚酰亚胺、聚丙稀和苯环丁烯树脂的组中选取的任意一种。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二绝缘层包括无机层。

13.根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述第二绝缘层包括硅氮化物或硅氧化物。

14.一种制造发光装置的方法，该方法包括：

制备基板；

使用第一掩模在所述基板上形成栅极；

将第一绝缘层叠置在包括所述栅极的所述基板上；

将非晶硅层和欧姆层叠置在所述第一绝缘层上；

使用第二掩模对所述非晶硅层和所述欧姆层进行构图；

将金属层叠置在包括经构图的所述欧姆层的所述基板上；

通过使用第三掩模对所述欧姆层和所述金属层的一部分进行蚀刻，限定出源极区域和漏极区域，并且形成与所述源极区域和所述漏极区域中的某一个电连接的源极或漏极和与所述源极区域和所述漏极区域中的另一个电连接的阴极；

将第二绝缘层叠置在包括所述源极或漏极和所述阴极的所述基板上；

通过使用第四掩模对所述第二绝缘层进行蚀刻，形成用于露出所述阴极的一部分的开口；

在所述开口内形成发射层；和

在包括所述发射层的所述基板上形成阳极。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述阴极的形成是通过半色调掩模工艺来进行的。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述源极或漏极和所述阴极包括从包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)和它们的合金的组中选取的至少一种。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述阳极包括从包括ITO、IZO、ICO和ZnO的组中选取的至少一种。