[发明专利]用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

说明书

本申请要求享有2006年6月19日递交的韩国专利申请第2006-0055089号的权益，在此该引入其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，尤其涉及一种具有由有机半导体材料构成的半导体层的阵列基板。

背景技术

通常，液晶显示器件(LCD)包括第一基板、第二基板和液晶层。第一和第二基板彼此相对并间隔一定距离。在该两者之间插入液晶层。LCD器件利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性显示图像。

由于液晶分子的细长形状使其具有定向排列特性。因此，可以通过对液晶分子施加电场来控制液晶分子的排列方向。具体地，包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的LCD器件，以下将其称为有源矩阵LCD(AM-LCD)器件具有极好的高分辨率和显示运动图像的特性。

图1所示为传统LCD器件的分解透视图。如图1中所示，该LCD器件包括第一基板12和第二基板22，以及液晶层30。第一基板12和第二基板22彼此相对，液晶层30设置于两者之间。该第一基板12包括栅线14、数据线16、薄膜晶体管“T”，以及像素电极18等。栅线14和数据线16彼此交叉使得将栅线14和数据线16之间形成的区域限定为像素区域“P”，在栅线14和数据线16之间的交叉部分处形成TFT“T”，并在像素区域“P”中形成像素电极18，该像素电极18与TFT“T”连接。

第二基板22包括黑矩阵25、滤色片层26和公共电极28。黑矩阵25具有格子形状以覆盖第一基板12的非显示区域，诸如栅线14、数据线16和TFT“T”等。滤色片层26包括第一、第二和第三子滤色片26a、26b和26c。每个子滤色片26a、26b和26c具有红、绿和蓝色“R”、“G”和“B”其中之一并且每个子滤色片对应于每个像素区域“P”。在黑矩阵25和滤色片26上形成公共电极28，该公共电极28覆盖在第二基板22的整个表面上。如上所述，通过位于像素电极18和公共电极28之间的电场控制液晶分子的排列从而改变透光量。从而，LCD器件显示图像。

尽管图1中未示出，为了防止液晶层30漏光，可以沿第一基板1 2和第二基板22的边缘形成密封图案。在第一基板12和液晶层30之间以及在第二基板22和液晶层30之间可以形成第一和第二定向层。可以在第一基板12和第二基板22的至少外表面上形成偏振器。

而且，LCD器件包括位于第一基板12的外表面上的背光组件以向液晶层30提供光。这样，在第一基板12和背光组件之间可以形成偏振器。光经过第一基板12、液晶层30、第二基板22等从而使得LCD器件显示图像。

通常，采用玻璃板作为第一基板12和第二基板22。但是，由于柔性板和玻璃板相比更轻而且更灵活，因此近来采用诸如塑料板的柔性板作为第一基板12和第二基板22。但该方案仍存在一定的问题，由于在高于约200℃的温度下执行阵列基板制造工艺，因此很难用柔性板替代玻璃板。当在低于约200℃的温度由非晶硅层和多晶硅层其中之一形成半导体层时，TFT的特性会变差。为了解决上述问题，提出了一种在低于约200℃的温度下通过在柔性基板上形成由有机半导体材料构成的TFT的阵列基板的制造方法。

可以通过低温沉积和涂敷在柔性基板上形成电极金属材料、绝缘材料和钝化材料。上述方法不会影响TFT的特性。但是，当在低于约200℃的温度下由非晶硅层形成半导体层时，在导电率等方面会存在问题。为了克服这些问题，采用有机半导体材料替代非晶硅材料形成半导体层。

图2所示为根据现有技术LCD器件的阵列基板的截面图。在基板51上形成源极55、漏极57、数据线(未示出)、像素电极60、有机半导体层63和栅绝缘层67。第一基板由塑料板和玻璃板其中之一形成。通过沉积以及构图金属层(未示出)在基板51上形成源极55、漏极57和数据线。源极55、漏极57彼此分离。该金属层可以包括具有高功函数的金(Au)。该源极55延伸自数据线。

在源极55、漏极57上沉积透明导电层(未示出)。构图透明导电层从而在基板51上形成像素电极60。该像素电极60与漏极57连接。

利用遮光板(未示出)由有机半导体材料层(未示出)构成有机半导体层63。通过沉积和涂敷有机半导体层其中之一步骤形成有机半导体层。有机半导体层63与源极55和漏极57接触。在半导体层63和像素电极60上形成栅绝缘层67。