[发明专利]用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括：

位于基板上的第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；

分别位于所述第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极，并且所述第二源极和第二漏极均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；

位于基板上的像素电极，并且所述像素电极与基板上的所述第二漏极接触；

位于基板上的有机半导体层；

位于基板上的栅绝缘层；以及

位于基板上的栅极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

从第一源极延伸的第一数据线，所述数据线和第一源极位于同一层并且由和所述第一源极一样的材料形成；以及

从第二源极延伸的第二数据线，所述数据线和第二源极位于同一层并且由和所述第二源极一样的材料形成。

3.根据权利要求2所示的阵列基板，其特征在于，所述第二数据线覆盖所述第一数据线的上表面。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二数据线覆盖第一数据线的侧面。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括：

包括位于所述栅极上的栅接触孔的第一钝化层，所述栅接触孔暴露所述栅极；以及

在所述钝化层上与所述数据线交叉的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层还包括暴露所述像素电极的开口部分。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述栅线上的第二钝化层。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料包括氧化铟锡和氧化铟锌的其中之一。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述第二漏极位于同一层并且由和所述第二漏极相同的材料形成。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属材料包括银、铝、铝合金、钼、铜和铜合金其中之一。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层、栅绝缘层和栅极具有彼此一样的形状。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层、栅绝缘层和栅极的端线彼此重合。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于基板和所述有机半导体层之间的缓冲层。

14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源极覆盖第一源极的侧面并且所述第二漏极覆盖第一漏极的侧面。

15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二源极和漏极上形成所述有机半导体层，并在所述有机半导体层上依次形成栅绝缘层和栅极。

16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极包括钼和铬其中之一。

17.一种制造液晶显示器件阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；

分别在所述第一源极和第一漏极上形成第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；

在基板上形成与第二漏极接触的像素电极；

在基板上形成有机半导体层；

在基板上形成栅绝缘层；以及

在基板上形成栅极。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：

形成从所述第一源极延伸并与所述第一源极同时形成的第一数据线；

形成从所述第二源极延伸并与所述第二源极同时形成的第二数据线。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二数据线覆盖所述第一数据线的上表面。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第二数据线覆盖第一数据线的侧面。