[发明专利]高压半导体器件结构

权利要求书

1.一种高压半导体器件结构，其特征在于，包含有：

一基板；

一漏极结构，由彼此绝缘性地紧邻交错相嵌的两开口形结构形成于该基板上，且相嵌处的该两开口形结构间定义出两第一区域、两第二区域及一第三区域，其中该第一区域紧邻该开口形结构，该第二区域紧邻该第一区域，该第三区域介于该两第二区域间，各该开口形结构包含一第一阱、一第一掺杂区及一漏极电极，该漏极电极形成于该基板上，该第一掺杂区形成于该漏极电极下方的该基板中且与该漏极电极相连接，该第一阱形成于该基板中并围绕该第一掺杂区；

一漏极延伸结构，形成于该基板中且位于该第一区域，该漏极延伸结构具有一漂移延伸区，该漂移延伸区与该第一阱相邻；

一源极结构，形成于该基板中且位于该第三区域，该源极结构包含一第二阱、至少一第二掺杂区及一源极电极，其中该源极电极形成于该基板上，该至少一第二掺杂区形成于该源极电极下方的该基板中且与该源极电极相连接，该第二阱形成于该基板中且围绕该至少一第二掺杂区；以及

一栅极结构，形成于该基板上且位于该第二区域，其包含一栅极绝缘层及一栅极电极，该栅极结构下方形成一场效沟道区。

2.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该栅极结构与相邻的该漏极结构与该源极结构间具有一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该第一阱中掺杂有N型导电离子，且该第一掺杂区中掺杂有高浓度N型导电离子。

4.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该漂移延伸区中掺杂有低浓度N型导电离子。

5.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该漂移延伸区还包含至少一第三掺杂区，该至少一第三掺杂区中掺杂有P型导电离子。

6.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该第二阱中掺杂有P型导电离子。

7.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该至少一第二掺杂区中可掺杂N型或P型导电离子，且彼此相邻的该至少一第二掺杂区掺杂不同导电离子型态。

8.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该两开口形结构的该漏极电极可藉由外部引线焊接连结。

9.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该开口形结构为一马蹄形或U形结构。

10.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该开口形结构为一S形或扁梳状结构。

11.根据权利要求10所述的高压半导体器件结构，其特征在于，其中该源极结构为一S形或连续相接的S形结构。